[发明专利]陶瓷制品的局部表面上釉方法以及实施该方法的装置

权利要求书

1．一种陶瓷制品的局部上釉方法，其特征在于，它包括如下步骤：通过把熔化辐射能施加到上釉位置周围的制品表面上的熔化区域(20)使所述上釉位置上的陶瓷材料熔化；然后，通过把退火辐射能施加到熔化区域周围的表面上的退火区域(22)，使所述熔化区域的所述制品表面退火，从而延缓所述熔化区域的冷却，并在该冷却过程中，把接近所述熔化区域的所述制品中产生的热应力限制为小于所述制品的所述表面上的陶瓷材料的断裂应力。

2．根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：在所述熔化步骤前预热所述熔化区域的步骤，该步骤是通过把预热辐射能施加到所述熔化区域周围的所述表面上的预热区域(22)来预热所述熔化区域，从而在进行所述熔化步骤时，限制靠近所述熔化区域中的所述制品的热应力。

3．根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，在所述各步骤进行的过程中，使所述制品保持在低于其退火温度的体积温度。

4．根据权利要求3所述的方法，其特征在于，在所述各步骤进行过程中，所述制品的所述体积温度约为室温。

5．根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述熔化辐射可提供一熔化能量密度，所述施加退火辐射能的步骤包括：施加所述退火辐射能，以提供一低于所述熔化能量密度的退火能量密度。

6．根据权利要求5所述的方法，其特征在于，施加所述预热辐射能的步骤包括：施加预热辐射能，以提供一低于所述熔化能量密度的预热能量密度。

7．根据权利要求3所述的方法，其特征在于所述预热区域(22)大于所述熔化区域，所述退火区域(22)大于所述熔化区域。

8．根据权利要求3所述的方法，其特征在于，施加预热辐射能，施加熔化辐射能和施加退火辐射能的所述预热、熔化和退火步骤均包括如下步骤：把一辐射能光束照射到所述制品表面的所述位置上，因而，至少在所述预热步骤的一部分持续时间内所述位置上的光束具有预热光束直径(d)，然后在所述熔化步骤的过程中使熔化光束直径小于所述预热光束直径，接着至少在所述退火步骤的一部分持续时间中使退火光束直径大于所述熔化光束直径。

9．根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述熔化光束直径约10毫米或小于10毫米。

10．根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述的退火光束直径在约1和15毫米之间，所述预热光束直径在约1和15毫米之间。

11．根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述熔化辐射能具有至少约200瓦/厘米²的能量密度。

12．根据权利要求3所述的方法，其特征在于，进一步包括在所述退火步骤持续过程中逐渐减小所述辐射能光束的功率的步骤。

13．根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述退火步骤具有约0.5和10秒之间的持续时间，所述熔化步骤具有约0.1和1.0秒之间的持续时间，所述预热步骤具有约0.25和2.5秒之间的持续时间。

14．根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述预热步骤还包括逐渐增加所述辐射能光束的能量密度的步骤。

15．根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述熔化和退火步骤进一步包括至少提供一辐射能光束的步骤，所述辐射能包括在熔化区域(121)中按熔化能量密度的所述熔化辐射能和包括在与所述熔融区域邻接但沿第一方向偏离的退火区域(127)中按小于所述熔融能量密度的退火能量密度的所述退火辐射能，并且使所述制品的表面沿所述第一方向相对于所述的至少一个光束运动，从而让所述表面的各部分通过所述熔化区域，然后通过所述退火区域。

16．根据权利要求15所述的方法，其特征在于所述至少一个光束进一步包括在与所述熔化区域邻接但沿所述第一方向相反的第二方向偏离的预热区域(129)中按小于所述熔化能量密度的预热能量密度的预热辐射能，所述表面的各个部分将在通过所述熔化区域之前通过所述预热区域。

17．根据权利要求16所述的方法，其特征在于，所述预热区域和所述熔化区域是邻接的，所述熔化区域和所述退火区域也是邻接的。