[发明专利]结晶评价装置及结晶评价方法

权利要求书

1.一种结晶评价装置，其特征在于，包含：设置有阳极和阴极的容器部；向上述容器部内供给形成阳极氧化膜的水溶液的机构；向上述容器部内供给去除上述阳极氧化膜的水溶液的机构；以及在上述容器部内具有扫描微型探头的扫描式微型探头显微镜。

2.根据权利要求1所述的结晶评价装置，其特征在于：上述扫描式探头显微镜为原子力显微镜。

3.根据权利要求1所述的结晶评价装置，其特征在于，还包含对上述容器部进行光照射的装置。

4.根据权利要求1所述的结晶评价装置，其特征在于，还包含对上述容器部内的温度进行调节的装置。

5.根据权利要求1所述的结晶评价装置，其特征在于，还包含在上述容器部中产生超声波的装置。

6.一种结晶评价方法，其特征在于，具有：将半导体衬底设置在容器部的阳极的过程；向上述容器部内供给形成阳极氧化膜的水溶液、在上述阳极和阴极间流过规定电流或施加规定电压、对上述半导体衬底进行阳极氧化的过程；向上述容器部内供给去除阳极氧化膜的水溶液、去除经上述阳极氧化形成在上述半导体衬底的阳极氧化膜的过程；以及使用使微型探头扫描的扫描式探头显微镜观察上述半导体衬底的过程。

7.根据权利要求6所述的结晶评价方法，其特征在于，根据上述观察过程，观察存在于上述半导体衬底上的缺陷状态。

8.根据权利要求6所述的结晶评价方法，其特征在于，根据上述观察过程，观察上述半导体衬底的杂质浓度分布。

9.根据权利要求6所述的结晶评价方法，其特征在于，上述扫描式探头显微镜为原子力显微镜。

10.根据权利要求6所述的结晶评价方法，其特征在于，连续重复对上述半导体衬底进行阳极氧化的过程和去除经上述阳极氧化形成在上述半导体衬底的阳极氧化膜的过程。

11.一种结晶评价装置，其特征在于，用照射至悬臂上的激光的反射光测量置于上述悬臂的探针与被测试样之间的斥力，并以图像显示上述测定试样状态，上述结晶评价装置包含：设置有阳极和阴极的容器部；向上述容器部内供给在上述测定试样形成阳极氧化膜的水溶液的机构；向上述容器部内供给去除在上述测定试样形成的上述阳极氧化膜的水溶液的机构；以及在上述容器部内具有扫描微型探头的扫描式微型探头显微镜。