[实用新型]电力电容器控制用半导体开关无效

专利信息
申请号: 93213073.9 申请日: 1993-05-20
公开(公告)号: CN2155102Y 公开(公告)日: 1994-02-02
发明(设计)人: 邓景滨 申请(专利权)人: 邓景滨
主分类号: H03K17/725 分类号: H03K17/725;H02J3/18
代理公司: 哈尔滨专利事务所 代理人: 韦振兴
地址: 150036 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 电力 电容器 控制 半导体 开关
【权利要求书】:

1、一种电力电容器控制用半导体开关,其特征在于:它是采用两个单向可控硅元件SCR1、SCR2反极性并联连接后,与压敏电阻Z并联,单向可控硅元件被控制电路所控制,控制电路分别在零电压时和零电流时产生控制脉冲。

2、根据权利要求1所述的半导体开关,其特征在于:控制电路中,主控门(5)、或门(8)、与门(16)、主脉冲产生器(1)、半导体三极管驱动级(6)、变压器(7)串联连接,主控门(5)的输出端又连接选通脉冲电压产生器(4)的输入端,选通脉冲电压产生器(4)的输出端与主脉冲产生器(1)的输出经微分门分别连接在与门(17)的两个输入端上,与门(17)与辅助脉冲产生器(2)串联连接,其输出端分别串联微分门(10)、(18)后接在或门(8)、(9)的输入端,或门(9)与选通脉冲电压产生器(3)串联,其输出端接在与门(16)的另一端上。

3、根据权利要求1或2所述的半导体开关,其特征在于:保护电路是由或门(11)、(12)与非门(13)、(14)、脉冲产生器(5′)以及复位按钮(15)连接组成。当SCR的控制脉冲中脉冲产生的辅助脉冲空缺时,该电路产生保护脉冲封锁主控脉冲门。

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