[实用新型]防晕悬式瓷绝缘子无效
申请号: | 93228849.9 | 申请日: | 1993-07-24 |
公开(公告)号: | CN2169900Y | 公开(公告)日: | 1994-06-22 |
发明(设计)人: | 郑俊;潘洪沂;杜广庆;刘传厚 | 申请(专利权)人: | 大连电瓷厂 |
主分类号: | H01B17/42 | 分类号: | H01B17/42;H01B17/02 |
代理公司: | 大连市专利服务中心 | 代理人: | 周志舰 |
地址: | 116011 *** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防晕悬式瓷 绝缘子 | ||
防晕悬式瓷绝缘子是一种用于高压,特别是起高压电输变电线路的悬式绝缘子。
已有的防晕悬式瓷绝缘子都是由瓷绝缘件,罩在瓷绝缘件瓷头并采用水泥胶粘剂胶装金属帽,与瓷头内腔胶装的金属脚构成。金属帽的帽口处要经过除去毛刺和表面污物,来提高绝缘子的电晕电压。但由于绝缘子用于户外,长期积污,仍不能达到提高绝缘子电晕电压的效果。所以一般的电晕电压最高只能达到18KV,一般只有15KV,远不能满足超高压输变电线路的正常需要。经常引起电晕放电。导致电能损耗,加速绝缘子老化和对无线电通讯的干扰。
本实用新型的目的在于提供一种具有较高耐电晕电压,防止电晕引起老化的防晕悬式瓷绝缘子。
本实用新型的防晕悬式瓷绝缘子仍含有瓷绝缘件,胶装在瓷绝缘件瓷头金属帽、与瓷头内腔胶装的金属脚,其结构特点是在瓷绝缘件的瓷脖根部加有一层烧结成一体的半导体釉层。半导体釉层改变了金属帽口和瓷脖处的电场状态,使该区域电场强度均匀程度提高、间隙击穿电压提高,对电晕放电延迟起到了显著作用。半导体釉层同原瓷绝缘件烧成一体,与瓷绝缘件熔为一体,使瓷釉结合好,提高半导体釉强度及寿命。这样更便于防晕悬式瓷绝缘子的加工装配,成本低。更具有耐污性,方便清扫。半导体釉层的宽度一般为复盖金属帽口相对的位置,而复盖在瓷脖根部。半导体釉层在复盖了金属帽口相对的位置,也就是复盖了瓷脖下部和瓷脖向伞面过度的圆弧部分及极少部分伞面。为了使防晕效果更好,半导体釉层延伸在瓷伞面,覆盖宽度超过金属帽口相对位置,增加电场强度均匀的区域,进一步提高间隙击穿电压的区域。由于半导体釉层是同瓷绝缘件烧结(连接)成一体的即瓷件坯釉结合一次烧成,不会出现伞面处半导体层与伞面产生间隙现象,而且与伞面结合连接非常容易。
本实用新型的防晕悬式瓷绝缘子与已有技术相比,能在瓷脖根部形成均匀的电场强度,有效防止电晕放电产生,制作按装操作方便,而且基本不改变生产工艺和产品原设计,成本较低,合格率较高;不易在防晕结构处结污,便于清扫,抗老化能力强,产品使用条件区域广泛,同时对改善绝缘子串电压分布有明显效果。
附图表示了本实用新型一种超高压防晕悬式瓷绝缘子结构示意图。这种防晕悬式瓷绝缘子由瓷绝缘件1、铁帽2、钢脚3构成。瓷绝缘件为瓷头6和瓷伞盘9连为一体的瓷绝缘件。在瓷头下部的瓷脖与瓷伞盘连接过渡的瓷脖根部7加有一层半导体釉层8,半导体釉层复在瓷脖根部并向伞面伸延一段,形成环带状。向伞面伸延的距离为20mm左右。半导体釉层同瓷绝缘件同时烧结,熔为一体。铁帽通过水泥胶粘剂5安装在瓷绝缘件的瓷头。铁帽口与瓷绝缘子的瓷脖根处及半导体釉层相对。钢脚插入瓷头内腔通过水泥胶粘剂4与瓷头内连接。形成的瓷绝缘子,平均电晕电压值超过31KV,试验电压分散性小。产品机械性能及综合质量性能都较稳定,合格率高。
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