[发明专利]动态随机存取存储器

权利要求书

1、一种在一个半导体基片上形成的半导体集成电路器件，包括多个动态存储器单元和一个振荡电路，该振荡电路用来对每个所述动态存储器单元进行刷新操作，其中：

所述半导体集成电路器件具有一个控制装置，该装置用来在供给所述半导体集成电路的电压发生变化时控制所述刷新操作的刷新周期，使所述刷新周期产生变化。

2、根据权利要求1的半导体集成电路器件，其中所述的控制装置以这样的方式可变化地控制所述的刷新周期，即限定所述刷新周期在所述多个存储器单元的数据保持时间内。

3、一种半导体集成电路器件，它包括一个振荡装置，该振荡装置具有用来形成传输信号的多个门装置;一个与所述振荡装置相连的电平判定电路;以及多个动态存储器单元，其中

所述电平判定电路在收到一个电源电压电平时输出一个电平判定信号，该电源电压供给所述半导体集成电路，并且其中，

根据所述的电平判定信号从所述多个门装置中选择出预定数目的门装置。

4、根据权利要求3的半导体集成电路器件，其中所述门装置的预定数如此选择，用来改变所述振荡信号的振荡周期。

5、根据权利要求4的半导体集成电路器件，其中

由所述多个动态存储单元保存的数据以这样的周期被刷新，该周期相应于所述振荡信号的所述振荡周期。

6、根据权利要求3的半导体集成电路器件，其中

所述电平判定电路具有状态存贮装置，用来保持所述电平判定信号的状态。

7、根据权利要求6的半导体集成电路器件，其中

所述的状态存贮装置是一个触发器。

8、根据权利要求3的半导体集成电路器件，进一步包括判定电路控制装置，该装置用来当所述判定控制装置收到所述振荡信号，并且同时当每次预定数的振荡信号输入其上时，使所述的电平判定电路工作。

9、根据权利要求3的半导体集成电路器件，进一步包括一个内部电路和方式判定装置，后者用来根据所述的电平判定信号识别所述半导体集成电路是处于第一还是第二方式，其中

所述的方式判定装置使所述内部电路不工作，在这种情况下，即所述方式判定装置根据所述电平判定信号识别出所述半导体集成电路是在第一种方式。

10、根据权利要求9的半导体集成电路器件，其中

所述的电源电压通过一个电池供给，上述电池位于所述第一方式中的所述半导体集成电路的外面。

11、根据权利要求10的半导体集成电路器件，其中，

所述第一方式是电池后备方式，所述第二方式是正常工作方式。

12、根据权利要求9的半导体集成电路器件，其中，

所述第二方式包括一个第三方式和一个第四方式，第三方式让所述振荡装置输出所述的具有一个第一频率的振荡信号，第四方式让所述的振荡装置输出具有比所述第一频率小的第二频率的所述振荡信号。

13、根据权利要求12的半导体集成电路器件，其中，

所述第一方式是电池后备方式，其中

所述第三方式是一般方式以及其中

所述第四方式是减低功率消耗（power  down）方式。

14、根据权利要求3的半导体集成电路器件，包括用来根据所述的振荡信号形成一个预定电压的电压形成装置。

15、根据权利要求3的半导体集成电路器件，其中所述多个门装置包括一个CMOS逻辑门电路，该门电路有至少一个P沟道MOSFET和至少一个N沟道MOSFET。

16、一种半导体集成电路器件，包括振荡装置，该装置具有多个门装置，这些门装置串联耦接在一起用来输出一个振荡信号;与所述振荡装置耦联的温度判定电路和多个动态存储器单元，其中

所述的温度判定电路检测所述半导体集成电路器件的温度，并对应检测结果输出一个温度判定信号，其中

所述的振荡装置在收到所述温度判定信号时，根据所述的温度判定信号，从所述多个门装置中选择预定数目的门装置。