[发明专利]晶体管及其制造方法

权利要求书

1、一种晶体管，包括：

一个集电极；

一个覆盖于该集电极上的基极，该基极有一顶部表面；以及

一个第一射极，该射极位于所述基极的顶部表面并包括：

一个第一部分，该部分在平面上从所述基极的顶部表面的一个边界处延伸进入所述顶部表面，以及

一个第二部分，该部分以一角度水平地延伸到所述第一部分。

2、根据权利要求1的晶体管，其特征在于，还包括一个叠加在所述基极顶部表面并与所述第一射极分离的第二射极，该第二射极包括：

一个第一部分，该部分在平面上从所述基极的顶部表面边界延伸进入所述顶部表面;以及

一个第二部分，该部分在平面上以一定角度延伸到所述第一部分。

3、根据权利要求1的晶体管，其特征在于，所述基极的顶部表面在平面上基本为一至少有5个边的多边形。

4、根据权利要求1的晶体管，其特征在于，所述基极的顶部表面在平面上基本为圆形。

5、根据权利要求1的晶体管，其特征在于，所述第一射极的第二部分覆盖在所述基极的顶部表面边界上。

6、根据权利1的晶体管，其特征在于，

所述集电极是在有一顶部表面的半导体衬底上形成的;以及

所述衬底包括一个将所述集电极与所述衬底的顶部表面连到一定的导电区，该导电区的至少一部分水平地围绕所绕集电极。

7、根据权利要求1的晶体管，其特征在于，

所述集电极是在有一顶部表面的半导体衬底上形成的;以及

所述衬底包括一个将所述集电极与所述衬底的表面进行连接的导电区，该导电区至少有一部分被所述集电极水平地环绕。

8、一种晶体管，包括：

一个集电极;

一个叠加于该集电极上的基极，该基极有一顶部表面，该表面有一从平面看基本为至少有五个边的多边形边界;以及

一个第一射极，该射极位于所述基极的顶部表面以覆盖所述顶部表面的外边界的一部分而非全部外边界。

9、根据权利要求8的晶体管，其特征在于，所述第一射极在平面上基本为-L形。

10、根据权利要求8的晶体管，其特征在于，还包括一个与所述第一射极隔开的一个第二射极，该第二射极叠盖在所述基极的顶部表面以覆盖所述顶部表面外边界的一部分。

11、根据权利要求10的晶体管，其特征在于，每个第一和第射极在平面上呈L形。

12、根据权利要求8的晶体管，其特征在于，

所述集电极形成在具有一顶部表面的半导体衬底中;以及

所述衬底包括一导体区以使所述集电极连到所述衬底的顶部表面，使至少一部分所述区域水平地环绕所述集电极。

13、根据权利要求8的晶体管，其特征在于，

所述集电极形成在具有一顶部表面的半导体衬底中;以及

所述衬底包括一个连接所述集电极到所述衬底的顶部表面的导电区，所述集电极水平地环绕至少一部分所述导电区。

14、一种晶体管，包括：

一个集电极;

一个叠盖在该集电极上的基极，所述基极有一顶部表面，该表面的平面图基本为一圆形的外边界;以及

一个第一射极，该射极叠盖在所述基极的顶部表面，覆盖所述顶部表面的一部分而非全部外边界。

15、根据权利要求14的晶体管，其特征在于，所述第一射极的平面图基本为L形。

16、根据权利要求14的晶体管，其特征在于，还包括一个与所述第一射极分开的第二射极，该第二射极覆盖在所述基极顶部表面上从而覆盖一部分所述顶部表面的外边界。

17、根据权利要求16的晶体管，其特征在于，每个所述第一和第二射极的平面图基本呈L形。

18、根据权利要求14的晶体管，其特征在于，

所述集电极形成在有一顶部表面的半导体衬底中;以及

所述衬底包括一个导电区，该区把所述集电极连到所述衬底的顶部表面，有至少部分所述区域水平地围绕所述集电极。