[发明专利]MIS半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种制造MIS(金属绝缘体半导体)半导体器件的方法包括：

第一步骤，在半导体内有源区的附近形成包含从铝、钛、二硅化钽、钨、钼、氮化钽和氮化钛中选取的一种材料的第一布线，在所述第一布线与所述有源区之间设有一个绝缘膜；

第二步骤，在所述第一布线的至少侧表面上形成氧化膜；

第三步骤，在形成所述氧化膜后，用所述第一布线或实质上由所述第一布线限定的区域作为掩模，以自对准方式将杂质注入半导体中；

第四步骤，在注入步骤之后，蚀刻所述氧化膜；

第五步骤，通过对杂质区和有源区间形成的边界或相邻所述边界的一部分上照射辐照光，以改善在所述的半导体中注入了所述杂质的杂质区的结晶性，所述边界和所述邻接该边界的部分实质上透过所述的辐照光。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于还包括，在第五步骤后，至少在所述第一布线的侧表面上再次形成绝缘材料的步骤。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体包括从硅、硅锗合金、碳化硅、锗、硒化镉、硫化镉、和砷化镓中选取的一种材料。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的光是激光。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述激光是从KrF激光、XeCl激光、ArF激光、XeCl激光、ArF激光和XeF激光、Nd：YAG激光、所述Nd：YAG激光的二次高谐波、所述Nd：YAG激光的三次高谐波和所述Nd：YAG激光的四次高谐波、二氧化碳气体激光、氩离子激光和铜蒸汽激光中选取的。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一布线是栅电极。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述刻蚀步骤是在包含CF₄和O₂的等离子体气氛中进行的。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，CF₄和O₂的流量是3比10。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一布线包含一种具有3000℃或更高的熔点的金属。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氧化膜通过氧化所述第一布线而形成。 

11.根据权利要求1所述的方法，其特征在于还包括：

在所述第五步骤之后在整个所述半导体上形成一层间绝缘膜；和

在所述层间绝缘膜上形成第二布线，且使其通过所述层间绝缘膜上形成的接触孔与所述杂质区接触。

12.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光是从氙闪光灯、氪弧灯和卤素灯中选取的。

13.一种生产半导体器件的方法，包括下列步骤：

在绝缘表面上形成半导体膜；

在所述半导体膜上形成栅绝缘膜；

在所述栅绝缘膜上形成选自铝、钛、钽、硅、钨、钼、氮化钽和氮化钛的材料制成的栅电极；

用所述栅电极作为掩模往所述半导体膜中掺杂质；和

对掺入了所述杂质的所述半导体膜的至少一个区域照射激光，

其中，所述激光选自Nd：YAG激光、所述Nd：YAG激光的二次高谐波、所述Nd：YAG激光的三次高谐波和所述Nd：YAG激光的四次高谐波。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述半导体膜包括从硅、硅锗合金、碳化硅、锗、硒化镉、硫化镉、和砷化镓中选取的一种材料。