[发明专利]半导体器件无效
| 申请号： | 94102117.3 | 申请日： | 1994-02-07 |
| 公开（公告）号： | CN1059054C | 公开（公告）日： | 2000-11-29 |
| 发明（设计）人： | 名仓英明;横沢真睹;椿和彦;吉村昌佑 | 申请（专利权）人： | 松下电子工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【权利要求书】：
1、一种半导体器体，它包含：
一个半导体衬底；
形成在上述半导体衬底上并在其中央部分有一个未被占用区域的半导体输出晶体管；以及
一个位于上述未被占用区域、用来探测上述半导体输出晶体管温度的测温元件。
2、根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述的半导体输出晶体管位于上述半导体衬底的中央部分。
3、根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述的测温元件位于所述半导体衬底的中央部分。
4、根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述的测温元件是一种测温晶体管。
5、根据权利要求4所述的半导体器件，其中所述的测温晶体管是一对彼此复合连接的晶体管。
6、根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述的测温元件是一种测温二极管。
7、根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述的测温元件是一种测温电阻。
8、根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述的测温元件与上述半导体输出晶体管在同一工序中形成。
9、根据权利要求8所述的半导体器件，其中所述的测温元件是一种测温晶体管，上述输出晶体管的收集极和上述测温晶体管的收集极形成于同一区域，上述输出晶体管的基极和上述测温晶体管的基极分别形成在不同的区域，而上述输出晶体管的发射极和上述测温晶体管的发射极分别形成在不同的区域。
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