[发明专利]带线圈保护环的薄膜传感器

权利要求书

1、一种薄膜感应装置，具有顶、底磁极和至少与一个所述磁极感应耦合的多匝线圈，所述线圈有一耦合至外部可触及引线的中央端和外端、一个外环和至少一个内环，其特征在于，所述外部可触及的引线之一耦合至所述内环，所述外环的一端与所述线圈断开。

2、如权利要求1所述的薄膜感应装置，其特征在于，所述外环有一外端和一内端，所述外环与线圈断开的端部包括外端。

3、如权利要求1所述的薄膜感应装置，其特征在于，所述外环有一外端和一内端，所述外环与所述线圈断开的端部包括内端。

4、如权利要求1所述的薄膜感应装置，其特征在于，所述薄膜感应装置包括一个薄膜传感器。

5、如权利要求1所述的薄膜感应装置，其特征在于，它包括一个薄膜变压器。

6、如权利要求1所述的薄膜感应装置，其特征在于，所述线圈包括一顶部绕组和一低部绕组，所述外环和所述内环都包含在所述顶部绕组中。

7、如权利要求1所述的薄膜感应装置，其特征在于，所述内环包括与所述外环紧邻的线圈环。

8、一种制造薄膜感应装置的方法，该装置具有顶、底磁极和与至少一个所述磁极感应耦合的多匝线圈，其特征在于，所述方法包括下列步骤：

（a）形成一底磁极;

（b）在底磁极之上形成一多匝线圈，该线圈有一外环部分和一内环部分，外环部分与线圈的内部在电气上断开;

（c）形成一顶磁极;

（d）形成外部至内环部分的电连接。

9、如权利要求8所述的方法，其特征在于，步骤（d）包括将外环部分的外端与内环部分连在一起的步骤。

10、如权利要求8所述的方法，其特征在于，步骤（d）包括建立外部与线圈内环部分外端的电连接的步骤。

11、如权利要求8所述的方法，其特征在于，形成顶磁极的步骤（c）包括下述步骤：在所述顶、底磁极的第一区域之间形成直接磁耦合，在其它区域形成缝隙，从而使所述装置包括一个薄膜传感器。

12、如权利要求8所述的方法，其特征在于，形成顶磁极的步骤（c）包括下述步骤：在所述顶、底磁极的第一和第二部分之间形成直接磁耦合，使得所述薄膜感应装置包括一变压器。

13、如权利要求8所述的方法，其特征在于，形成多匝线圈的步骤（b）包括形成一多层线圈的步骤。