[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：

在衬底上形成包括硅的半导体膜；

配置一与所说半导体膜相接触的催化物，所说催化物能促进所说半导体膜的晶化；

加热所说配备以所说催化物的半导体膜，以晶化所说半导体膜；以及

在所说加热后，使该半导体膜在含氯气的气氛下退火，以除去在所说半导体膜中所含的至少一部分所催化物，

其中所说催化物包括选自由镍、铁、钴、铂和钯组成的组合中的一种金属。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于，所说含氯气体相对于所说气氛的比例为1至10％。

3.根据权利要求1的方法，其特征在于，所说半导体膜在所说加热前基本上是非晶的。

4.根据权利要求1的方法，其特征在于，该衬底包括一玻璃，且所说加热是在低于所说玻璃的转变温度下进行的。

5.根据权利要求1的方法，其特征在于，所说加热步骤是在450至650℃进行的。

6.根据权利要求1的方法，其特征在于，所说退火是在450-650℃的范围里进行的。

7.根据权利要求1的方法，其特征在于，所说催化物包括所说金属的硅化物。

8.根据权利要求1的方法，其特征在于，所说催化物包括所说金属的化合物。

9.根据权利要求1的方法，其特征在于，所说催化物呈膜、粒或簇状。

10.根据权利要求1的方法，其特征在于，所说含氯气体包括氯化氢。

11.根据权利要求1的方法，其特征在于，所说含氯气体包括选自由CH₃Cl、CH₂Cl₂、CHCl₃、C₂H₅Cl、C₂H₄Cl₂、C₂H₃Cl₃、C₂H₂Cl₄、C₅HCl₅、C₂H₃Cl、C₂H₂Cl₂和C₂Cl₃组成的组合中选出的一种材料。

12.根据权利要求1的方法，其特征在于，所说半导体膜在所说加热后具有多晶结构。

13.根据权利要求1的方法，其特征在于，所说半导体器件是一种具有包括所说半导体膜的沟道区的薄膜晶体管。

14.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：

在一衬底上形成半导体膜；

配置一与所说半导体膜相接触的催化物，所说催化物能促进所说半导体膜的晶化；

加热所说配备以所说催化物的半导体膜，以晶化所说半导体膜；以及

在所说加热后，于含混以含氯气的含氧气氛中使所说半导体退火，以除去在所说半导体膜中所含的至少一部分所说催化物，

其中所说催化物包括选自由镍、铁、钴、铂和钯组成的组合中的一种金属。

15.根据权利要求14的方法，其特征在于，所说含氯气体相对于所说气氛的比例为1至10％。

16.根据权利要求14的方法，其特征在于，所说半导体膜在所说加热前基本上是非晶的。

17.根据权利要求14的方法，其特征在于，该衬底包括一玻璃，且所说加热是在低于所说玻璃的转变温度下进行的。

18.根据权利要求14的方法，其特征在于，所说加热步骤是在450至650℃进行的。

19.根据权利要求14的方法，其特征在于，所说退火是在450-650℃的范围里进行的。

20.根据权利要求14的方法，其特征在于，所说催化物包括所说金属的硅化物。

21.根据权利要求14的方法，其特征在于，所说催化物包括所说金属的化合物。