[发明专利]用于荫罩的合金薄板无效
申请号: | 94103320.1 | 申请日: | 1994-03-18 |
公开(公告)号: | CN1035890C | 公开(公告)日: | 1997-09-17 |
发明(设计)人: | 井上正;鹤清;日朝道人;山内克久 | 申请(专利权)人: | 日本钢管株式会社 |
主分类号: | C22C38/08 | 分类号: | C22C38/08;C22C38/10;C22C38/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 全菁 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 合金 薄板 | ||
1.一种用于制造荫罩的合金薄板,该合金薄板由以下元素组成;Ni 34~38%(重量)、Si 0.07%(重量)或更低、B 0.001%(重量)或更低、O 0.003%(重量)或更低、N 0.002%(重量)或更低,其余是Fe和不可避免的杂质;
所述冲压成型前退火前的合金薄板具有10.5~15.0μm的平均奥氏体晶粒度(Dav),奥氏体晶粒的最大粒度与最小粒度之比(Dmax/Dmin)为1~15,维氏硬度(Hv)为165~220,并满足以下关系式;
10×Dav+80≥Hv≥10×Dav+50;和
所述合金薄板在其表面上具有以下各晶面聚集度;
{111}晶面聚集度为14%或更低,
{100}晶面聚集度为5~75%,
{110}晶面聚集度为5~40%,
{311}晶面聚集度为20%或更低,
{331}晶面聚集度为20%或更低,
{210}晶面聚集度为20%或更低,和
{211}晶面聚集度为20%或更低。
2.根据权利要求1的合金薄板,其中,所述Ni含量为35~37%(重量)。
3.根据权利要求2的合金薄板,其中,所述Ni含量为35.5~36.5%(重量)。
4.根据权利要求1的合金薄板,其中,所述O含量为0.0001~0.003%(重量)。
5.根据权利要求1的合金薄板,其中所述B含量为0.0002%(重量)或更低。
6.根据权利要求1的合金薄板,其中,所述Si含量为0.001~0.07%(重量)。
7.根据权利要求1的合金薄板,其中,所述N含量为0.0001~0.002%(重量)。
8.根据权利要求1的合金薄板,其中,所述{100}晶面的聚集度为8~46%。
9.一种用于制造荫罩的合金薄板,该合金薄板由以下元素组成:Ni 34~38%(重量)、Si 0.07%(重量)或更低、Co 1%(重量)或更低、B 0.001%(重量)或更低、O 0.003%(重量)或更低、N 0.002%(重量)或更低,其余是Fe和不可避免的杂质;
所述冲压成型前退火前的合金薄板具有10.5~15.0μm的平均奥氏体晶粒度(Dav),奥氏体晶粒的最大粒度与最小粒度之比(Dmax/Dmin)为1~15,维氏硬度(Hv)为165~220,并满足以下关系式;
10×Dav+80≥Hv≥10×Dav+50;和
所述合金薄板在其表面上具有以下各晶面聚集度;
{111}晶面聚集度为14%或更低,
{100}晶面聚集度为5~75%,
{110}晶面聚集度为5~40%,
{311}晶面聚集度为20%或更低,
{331}晶面聚集度为20%或更低,
{210}晶面聚集度为20%或更低,和
{211}晶面聚集度为20%或更低。
10.根据权利要求9的合金薄板,其中,所述Ni含量为35~37%(重量)。
11.根据权利要求10的合金薄板,其中,所述Ni含量为35.5~36.5%(重量)。
12.根据权利要求9的合金薄板,其中,所述O含量为0.0001~0.003%(重量)。
13.根据权利要求9的合金薄板,其中,所述B含量为0.0002%(重量)或更低。
14.根据权利要求9的合金薄板,其中,所述Si含量为0.001~0.07%(重量)。
15.根据权利要求9的合金薄板,其中,所述N含量为0.0001~0.002%(重量)。
16.根据权利要求9的合金薄板,其中,所述{100}晶面的聚集度为8~46%。
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