[发明专利]一种用混合技术制作X光光刻掩模的方法

权利要求书

1、一种用混合技术制作X光光刻掩模的方法，其特征在于，在制备合格的X光和光学透明支撑膜及导电层基片上，制作三层结构，通过用按一定规则特殊设计的掩模版，进行常规光刻和垂直定向刻蚀，采用常规电镀和在图形垂直侧面覆盖金膜相结合的混合技术，制备含有深亚微米线宽金吸收体图形X光光刻掩模版；主要步骤是：a、特殊设计和制作常规光刻掩模版，使用1-2块主掩模版，其图形设计原则是，对于如互连线、引线点、对准标记等常规光刻分辨率范围以内的粗线条图形，其尺寸和位置按实际使用的需要设计，对于深亚微米图形，把它设计成在一种特殊设计的常规光刻分辨率范围内的附加图形的边界上，另外再设计必要的附加掩模版；b、在基片上制备合格的X光和光学透明支撑膜及背面腐蚀保护膜窗口；c、在支撑膜上制备过渡金属层和导电底金层，并在其上制备有机底膜层，无机中间层和光刻胶顶层的三层结构；d、在顶胶层上，用含粗图形的主掩模版光刻出窗口图形，并用选择性垂直定向刻蚀方法转化为具有垂直侧面底层有机膜图形，用常规电镀方法，在窗口上电镀厚0.7μm以上的金层；e、在基片上用含特殊设计附加图形掩模版，套准和光刻出窗口图形，并用选择性垂直定向刻蚀方法，转化为具有垂直侧面底层有机膜图形，并且在图形侧面覆盖一层等于所需深亚微米图形宽度的金膜；f、用附加掩模版，套准和光刻出无用的侧面覆盖金膜窗口，用湿法除去这部分覆盖膜；g、用干法或湿除去基片上保留的无机中间层和有机底膜层，用离子束刻蚀除去图形外底金导电层和过渡金属层，得到了由常规电镀粗线条和保留下来侧面金覆盖膜构成深亚微米金吸收体图形；h、对基片背面窗口进行腐蚀，除去基片材料，制成由支撑膜和金吸收体图形构成的X光光刻掩模版。

2、根据权利要求1的一种用混合技术制作X光光刻掩模的方法，其中所述制作的掩模为栅极线宽为深亚微米的MOS、MESFET、HEMT等场效应器件，以及发射极线宽为深亚微米的双极型器件的X光光刻掩模。

3、根据权利要求1的一种用混合技术制作X光光刻掩模的方法，其中所述的侧面金覆盖膜，是在对底金层进行反应离子过刻或离子束溅射出的金原子附着在有机底膜层图形侧面形成导电层，再在图形侧面电镀一层薄金层得到的。

4、根据权利要求1的一种用混合技术制作X光光刻掩模的方法，其中所述的侧面金覆盖膜的无用部分，通过套准光刻窗口，用碘和碘化钾溶液除去。

5、根据权利要求1的一种用混合技术制作X光光刻掩模的方法，其中所述制作的深亚微米金吸收体图形线宽为0.1-0.5μm，高为0.6μm以上。

6、根据权利要求1的一种用混合技术制作X光光刻掩模的方法，其中所述的金吸收体图形，在其背面材料腐蚀前，在基片上覆盖一层Si₃N₄，SiO₂等抗碱腐蚀透明薄膜，以便增加吸收体图形的机械强度。