[发明专利]含金刚石膜的SOI集成电路芯片材料及其制作工艺无效
| 申请号： | 94103623.5 | 申请日： | 1994-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN1041119C | 公开（公告）日： | 1998-12-09 |
| 发明（设计）人： | 顾长志;金曾孙;吕宪义;邹广田 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C30B25/00 | 分类号： | C30B25/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 吉林大学专利事务所 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130023 *** | 国省代码： | 吉林;22 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金刚石 soi 集成电路 芯片 材料 及其 制作 工艺 | ||
【权利要求书】：
1、一种含金刚石膜的SOI集成电路芯片材料的制备工艺，将单晶硅片经常规处理，生长其它材料的薄层，通过反外延减薄技术，将单晶硅片减薄成单晶硅薄层(3)；在制备的SOI结构中间还生长有金刚石膜(2)，其特征在于：
①在常规处理后的单晶硅片上生长SiO2过渡层(5)，再在SiO2过渡层(5)上生长金刚石膜(2)；
②所说的生长金刚石膜(2)是以丙酮为碳源气体，采用热丝CVD法生长出来的，并使金刚石膜(2)的面积小于单晶硅片面积，即在SiO2过渡层(5)表面的周边没有生长上金刚石膜(2)；
③在金刚石膜(2)上生长多晶硅(4)；
④所说的对单晶硅片进行减薄处理是用机械抛光方法，再用离子束溅射方法实现的。
2、按照权利要求4所述的含金刚石膜的SOI集成电路芯片材料的制备方法，其特征在于所说的机械抛光方法使单晶硅片减薄至10μm以下，再用离子束溅射方法将单晶硅片减薄至0.4～0.5μm，构成单晶硅薄层(3)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于吉林大学，未经吉林大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/94103623.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
