[发明专利]具有富碳涂层的底物

权利要求书

1、一种在底物上等离子体沉积富碳涂层的方法，它包括下列步骤：

a.将底物置于真空室中；

b.借下列步骤在该真空室中产生富碳等离子体；

(i)向空心阴极中注入适于提供富碳涂层的等离子体；

(ii)提供足够的电压以在该空心阴极产生并维持富碳等离子；

(iii)在所这真空中为所述等离子体维持足够的真空；

c.将所述底物暴露在所述等离子体中，同时将所述底物紧靠射频偏压设备，借此所述等离子体朝着所述底物加速并作为富碳涂层沉积在该底物上。

2、权利要求1的方法，其中底物是磁性记录介质。

3、权利要求1的方法，其中所述的等离子体气体包括选自下列的气体：饱和和不饱和烃，含氮烃，含氧烃，含卤烃，和含硅烃。

4、权利要求1的方法，其中射频偏压设备的频率为25KHz到400KHz，偏压电压为100伏到1500伏。

5、权利要求1的方法，其中在所述真空室中产生和维持的电压由脉冲DC电源来完成。

6、权利要求1的方法，其中空心阴极包括选自下列的耐火材料：石墨，钼，钨和钽。

7、权利要求1的方法，其中在等离子体沉积时底物与射频偏压设备接触且所述的射频偏压设备为导电板。

8、权利要求1的方法，其中真空室中的真空维持在约1到300毫托。

9、权利要求1的方法，其中等离子体气体以约10到500sccm的总进料气体流率注入到空心阴极中。

10、权利要求2的方法，其中所述磁性介质包括挠性非磁性底物和含可磁化颜料的聚合粘接材料，其中所述富碳层涂在含可磁化颜料的聚合粘接材料上。

11、权利要求2的方法，其中磁性介质包括挠性非磁性底物和沉积在该底物上的磁性薄膜。

12、权利要求1的方法，其中底物包括挠性聚合物膜。

13、权利要求1的方法，还包括一个或多个产生一种或多种补充等离子体的附加空心阴极。

14、权利要求13的方法，其中多于一种类型的涂层沉积在所述的底物上。

15、按权利要求1到14任一个权利要求的方法制备的产品。

16、一种磁性记录介质，它包括底物和涂在该底物上并包括在一种粘接材料中的可磁化颗粒的磁性层，其特征在于：

（ⅰ）在所述磁化层上的不含粘接材料的富碳层;和

（ⅱ）所述底物是聚合物且挠曲刚度D小于约36牛顿·米。

17、权利要求16的磁性记录介质，其中所述的富碳层包括的50到95原子百分数的碳。

18、权利要求16的磁性记录介质，其中所述的富碳层包括的0.0到20原子百分数的碳。

19、权利要求18的磁性记录介质，其中所述富碳层还包括0.1到20原子百分数的氧和0.1到40原子百分数的氢。

20、权利要求17的磁性记录介质，其中所述富碳层表面导电率约为10⁸到10¹²欧姆/方。

21、权利要求17的磁性记录介质，其中在富碳层上还包括碳氟化合物润滑剂。