[发明专利]半导体集成电路、半导体器件、晶体管及其制造方法

权利要求书

1、一种制造晶体管的方法，包括：

形成岛状半导体区；

在所述半导体区上形成绝缘涂层；

形成跨接所述半导体区的栅部件；

提供至少露出所述栅部件和所述半导体区的掩模；

利用所述的掩模把杂质掺入所述的半导体区；

利用所述的掩模，选择地除去所述的绝缘涂层；

用光辐照所述的半导体区；

2、根据权利要求1的方法，其中所述的栅部件包括由导电材料制成的栅电极和覆盖所述栅电极的所述导电材料的氧化物。

3、根据权利要求1的方法，其中所述的栅部件包括铝。

4、根据权利要求1的方法，其中，利用含有氢氟酸的溶液进行湿腐蚀，进行所述的除去步骤。

5、一种晶体管包括：

一个岛状半导体区，其包括一个源区，一个漏区，一个位于所述源和所述漏区之间的沟道，和一个实质上为本征的区域;

一个栅电极，其跨接所述的半导体区，与所述的沟道相邻接，并在所述沟道和所述栅电极之间具有栅绝缘膜。

其中所述的实质上为本征的区域和所述半导体区的外围相互接触，并且设置在所述栅电极和所述的源和漏中之一之间。

6、一种制造晶体管的方法，包括：

形成一个岛状的半导体区;

形成跨接所述半导体区的栅电极;

在所述半导体区的边缘部分设置一个掩模，其包括位于所述栅电极下面的所述半导体区的部分，把杂质掺入所述的半导体区，在其中形成源区和漏区。

7、根据权利要求6的方法，还包括：

在所述掺杂步骤后，利用所述的掩膜、通过腐蚀所述栅绝缘膜，曝露出所述半导体区的表面;

在所述的曝露步骤后，用光辐照所述的半导体区。

8、一种晶体管，包括：

一个岛状半导体区，其包括源、漏和位于所述源与漏之间的沟道;

一个栅电极，其跨接所述的半导体区，与所述沟道相邻，在所述沟道和所述栅电极之间具有栅绝缘膜，

其中所述的半导体区进一步包括：一个与所述半导体区的外围相接触的区域，并设置在所述栅电极和所述源和漏中之一的之间，并具有与所述沟道导电类型相同的导电类型。

9、一种制造晶体管的方法，包括：

形成一个岛状半导体区;

把至少选自由氧、碳和氮组成的组中的一种元素，选择地掺入到所述半导体区的至少外围部分，栅电极跨接在该半导体区上;

形成跨接在所述半导体区上的栅电极;

利用所述栅电极作掩膜，通过自对准方法把杂质掺入到所述的半导体区，在所述半导体区中形成源和漏。

10、一种晶体管包括：

在基片的绝缘表面上设置半导体膜，

其中，所述半导体膜包括所述晶体管的有源区，与有源区绝缘的区域，其被设置在所述有源区的周围。

11、根据权利要求10的晶体管，

其中，与有源区绝缘的区域，设置在所述有源区的周围，由氧化硅或氮化硅组成，并且能透过可见光。

12、一种制造晶体管的方法，包括：

在基片的绝缘表面上形成半导体膜;

通过把能使所述半导体膜变成绝缘体的材料加到所述外围部分，至少使所述半导体膜外围具有绝缘特性。

13、根据权利要求12的方法，其中所述的材料包括选自由氧、碳和氮组成的组中的至少一种元素。

14、一种半导体器件，包括：

一个岛状的半导体区;

跨接在所述半导体区的栅电极，

其中，所述的半导体区包括一个外围区域，其包含选自由氧、碳和氮组成的组中的至少一种元件，其浓度高于所述半导体区中的平均浓度，在所述半导体区的外围，具有跨接在所述外围区域的所述栅电极。

15、根据权利要求14的器件，其中所述岛状半导体区包括一个斜切边缘。

16、根据权利要求14的器件，其中所述外围区域有0.05到5μm的宽度。