[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在一衬底上形成非晶硅膜；

在上述非晶硅膜上形成含至少一种金属元素的膜，以促进该非晶硅膜的晶化；

用激光或强度等于激光的光选择性地只照射所述非晶硅膜的一部分，以使该非晶硅膜的这部分晶化；和

通过加热使所述非晶硅膜退火从而使该非晶硅膜晶化。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属元素选自镍、铁、钴、铂和钯。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述退火是在580℃或更低温度下进行的。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非晶硅膜中所含的所述金属元素的浓度，按SIMS测量，在该非晶硅膜晶化以后不超过1×10²⁰/cm³。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述衬底为玻璃衬底。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光选自KrF准分子激光、XeF准分子激光和ArF准分子激光。

7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光的能量密度为200至500mJ/cm²。

8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非晶硅膜的该部分用于制造含有薄膜晶体的一个驱动电路，以驱动形成在所述衬底上的有源阵列电路

9.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在一衬底上形成非晶硅膜；

将至少一种金属元素引入上述非晶硅膜，以促进该非晶硅膜的晶化；

用激光或强度等于激光的光选择性地只照射所述非晶硅膜的一部分，以使该非晶硅膜的这部分晶化；和

通过加热使所述非晶硅膜退火从而使该非晶硅膜晶化。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述金属元素选自镍、铁、钴、铂和钯。

11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述退火是在580℃或更低温度下进行的。

12.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述非晶硅膜中所述金属元素浓度的最低值，按SIMS测量，在所述引入步骤中，超过1×10¹⁶/m³。    

13.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述非晶硅膜中所含的所述金属元素的浓度，按SIMS测量，在该非晶硅膜晶化以后不超过1×10²⁰/cm³。

14.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述衬底为玻璃衬底。

15.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述激光选自KrF准分子激光、XeF准分子激光和ArF准分子激光。

16.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述激光的能量密度为200至500mJ/cm²。

17.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非晶硅膜的该部分用于制造含有薄膜晶体的一个驱动电路，以驱动形成在所述衬底上的有源阵列电路。

18.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：

在一衬底上形成非晶硅膜；

只在上述非晶硅膜的一部分上选择性地形成含至少一种金属元素的膜，以促进该非晶硅膜的晶化；

用激光或强度等于激光的光照射整个所述非晶硅膜，以使该非晶硅膜晶化。

19.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述金属元素选自镍、铁、钴、铂和钯。

20.如权利要求18所述的方法，其特征在于，还包括在所述照射之前通过在400℃至500℃范围内加热使所述非晶硅膜退火的步骤。

21.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述非晶硅膜中所含的所述金属元素的浓度，按SIMS测量，在该半导体膜晶化以后不超过1×10²⁰/cm³。

22.如权利要求18所述的方法，其特征在于，所述衬底为玻璃衬底。