[发明专利]阴极射线管显示器无效

专利信息
申请号: 94104360.6 申请日: 1994-04-20
公开(公告)号: CN1076860C 公开(公告)日: 2001-12-26
发明(设计)人: A·多索特;J·-P·迪斯康比斯 申请(专利权)人: 汤姆森管及展示有限公司
主分类号: H01J29/76 分类号: H01J29/76
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 马铁良,叶恺东
地址: 法国塞*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 阴极射线管 显示器
【说明书】:

发明涉及阴极射线管显示器用的电子束扫描速度调制装置的领域,特别涉及一种软导线辅助偏转线圈。

大家知道,阴极射线管电子偏转的过程中是要经过扫描速度调制的,用所描速度调制来提高所显示图象可觉察得到的清晰度。扫描速度调制的基本概念是在图象由亮变暗或由暗变亮时调制电子束的水平扫描速度。举例说,当扫描掠过暗区背景上的亮竖条时,所述速度调制的目的是达到这样的显示情况,即水平扫描掠过亮竖条时,屏幕亮度即刻增加到最大值,然后在掠过竖条之后即刻减小到最低水平,然而,电子束电流上升下降的时间并不是瞬时的。在没有扫描速度调制的显示情况下,在明暗转变过程中会有灰度出现,这使图象边缘模糊,在视觉上表现为清晰度下降或不清晰。

在有电子束扫描速度调制的情况下,配备了具有下列功能的电路:一方面预先采取措施防止亮度信号转变,另一方面修正水平扫描速度,使电子束在转变前后在暗区获得加速度,即以超过平增扫描速率的速度扫描。由于电子束获得的这个加速度而争取到的时间应用到转换过程的亮方,这时电子束减速到平均扫描频率以下,因而扫描水平行所需的总时间仍然不变,加速和减速效果彼此相抵消。在变亮之前增加电子束在暗区的扫描速度,其作用是减少撞击荧光层的电子束流,从而减小荧光层受激现象,这样使暗区变得更暗。扫描速度在亮区一经减慢,促使电子束激活荧光层的时间略为延度,而且使竖接转变之后再度出现发亮的现象。速度调制在图象边缘转边时的总的作用是使转变看起来比恒速度扫描时更明显。转变是从亮背景到暗区进行时,经历的过程相反。总的作用是提高图象边缘可觉察到的清晰度,从而使画面看起来更清晰,分辨率提高。

应用电子束速度调制时采用一个工作时修正电子束水平偏转情况的附加线圈。这一种附加线圈用驱动电路从亮度视频信号提取的边缘转变信息驱动。

SVM(扫描速度调制)线圈可以是个平绕叠层线圈,在SVM早期的应用中系装设在纯度/静会聚磁铁支座上,以影响从电子枪的聚焦栅(G4)出来的电子束。此外,大家知道还有印刷电路式的线圈,这些线圈可以安置在静聚焦磁铁下方或偏转线圈下方。

SVM线圈紧靠电子枪安置可以减小作用到电子束上的SVM线圈场强。电子枪通常有导磁的铁磁材料(例如钢),因而具有将SVM场限制在导磁铁磁材料的范围内的倾向。电子枪还有非磁铁磁性的导电材料,这种材料借助于涡流感应将SVM场分散开。总之,电子枪的铁质和导电材料具有使SVM场部分散开同时屏蔽电子束使它们不致彼此相互作用的倾向。

SVM线圈装设在特定位置时其固有的屏蔽和分散的不利作用是可加以克服的,例如通过增加SVM驱动电流,但这需要提高电流驱动器的性能,同时器件的功耗增加。为达到所要求的SVM偏转灵敏度,可以增加线圈的匝数,但这一下电感的增加会使SVM线圈的高频特性下降到组成所显示信号的频谱所需要的频率以下。要提高SVM偏转灵敏度可以将SVM线圈尽量靠近电子束安置,因为磁场强度与两者之间的间距某次方的倒数成正比。然而,安置在例如管颈上可能会给可能与这种SVM线圈位置重叠安置的其它管颈部件带来机械安装问题。因此,与管长表面接触配置的任何SVM线圈及其接线在横截面的尺寸上应尽可能小。

本发明的目的是为了提高SVM偏转线图的偏转灵敏度、减小电感和减小与安装在阴极射线管的管颈上的其它部件之间的干扰。

扫描电子束速度经调制的阴极射线管显示装置其阴极射线管有个管颈和用以产生电子束的电子枪。阴极射线管上装有一个偏转线圈。管颈上安装有第一柔质衬垫和第二柔质衬垫,两衬垫都包绕得使其与管颈周边贴合,两衬垫的一面都用以装设导体。第一衬垫上的导体取第一线圈图形的形式。第二衬垫上的导体取第二线圈图形的形式。第一线圈图形与第二线圈图形用导线连接起来。扫描速度调制电流由一个接插件加上,以激励第一线圈图形和第二线圈图形,从而进行电子束扫描速度调制。

图1A示出了本发明SVM偏转线图及其配置方式的一个实施例。

图1B示出了本发明的另一个SVM线圈及其配置方式。

图2A示出了本发明一个实施例的部件分解图。

图2B示出了本发明的另一个SVM线圈及其配置方式。

图3A示出了本发明一个实施例的导体图形。

图3B示出了装配导体用的衬垫层。

图3C是图2管颈C/C处截取的横截面,示出了导图形在管颈周边的配置方式。

图3D是图3C在剖面线H/H处的放大图。

图4A示出了本发明另一实施例的第一导体图形和衬垫层。

图4B示出了本发明另一实施例的第二导图形和衬垫层。

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