[发明专利]电子元器件防静电损伤的抗静电膜制备工艺

权利要求书

1、一种电子元器件防静电损伤的抗静电膜制备工艺，其特征在于：

它包括抗静电膜材料的制备和在电子元器件上涂布、固化等工序。

2、根据权利要求1所述的电子元器件防静电损伤的抗静电膜制备工艺，其特征在于：其抗静电膜材料为稀糊状胶液，是以导电材料粉、松香粉和乙醇为原料均混制备的，各物质的重量比为：

导电材料粉  5

松香  3～6

乙醇  2～6;

是涂布在电子元器件静电敏感通道的两极间、固化后在电子元器件静电敏感通道的两极间形成用于将电子元器件静电敏感通道的两极短路的抗静电膜的。

3、根据权利要求1所述的电子元器件防静电损伤的抗静电膜制备工艺，其特征在于：其抗静电膜材料为松香溶液，是将制备的抗静电膜材料涂布在电子元器件静电敏感的部位、固化后在电子元器件静电敏感的部位上形成用于将电子元器件静电敏感的部位绝缘封闭的抗静电膜的。

4、根据权利要求1所述的电子元器件防静电损伤的抗静电膜制备工艺，其特征在于：其抗静电膜材料稀糊状胶液，是以松香粉和乙醇为原料均混制备的，各物质的重量比为：

松香  15

乙醇  2～6;

是涂布在电子元器件静电敏感的部位、固化后在电子元器件静电敏感的部位上形成用于将电子元器件静电敏感的部位绝缘封闭的抗静电膜的。

5、根据权利要求2所述的电子元器件防静电损伤的抗静电膜制备工艺，其特征在于：制备的抗静电膜材料的导电材料粉为石黑粉，制备的抗静电膜材料中还均混有PF胶，各物质的重量比为：

石黑  10

松香  9

乙醇  5

PF胶  3。

6、根据权利要求3所述的电子元器件防静电损伤的抗静电膜制备工艺，其特征在于：它还包括PF胶保护剂的制备和涂布等工序，是将制备的PF胶保护剂涂布在电子元器件已涂布抗静电膜材料的电子元器件部位，然后再固化制备抗静电膜的，而所述的PF胶保护剂是以乙醇稀释PF胶制备的，各物质的重量比为：

PF胶  2

乙醇  1。

7、根据权利要求3或6所述的电子元器件防静电损伤的抗静电膜制备工艺，其特征在于：制备的抗静电膜材料-松香熔液中还均混有琥珀粉，各物质的重量比为：

松香  2

琥珀  1。

8、根据权利要求4所述的电子元器件防静电损伤的抗静电膜制备工艺，其特征在于：制备的抗静电膜材料中还均混有琥珀粉和PF胶，各物质的重量比为：

松香  15

琥珀  6

乙醇  3

PF胶  2。