[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1．一种半导体存储装置，包括：

一半导体芯片，它有一主表面和形成在所述主表面上的存储阵列块，以及多个形成在所述主表面基本中心部分的焊盘，所述多个焊盘包括第一组在该基本中心部分的第一部分延伸的焊盘以及第二组在该基本中心部分的第二部分延伸的焊盘；

一用于密封所述半导体芯片的树脂模块，以及

多根引线，所述多根引线中每一根的一端均位于所述半导体芯片的所述主表面之上，并与所述多个焊盘中相应的一个电学连接，而所述多根引线中每一根的另一端位于所述树脂模块的外部，其特征在于，

所述第一组焊盘排成两列，而所述第二组焊盘排成一列，以及

所述第一组焊盘包括用于数据输入/输出的焊盘。

2．按照权利要求1的半导体存储装置，其特征在于，上述成两列排列的焊盘中的一列焊盘与另一列焊盘之间的间隔具有足以按钉头状焊接形成上述各焊丝的距离。

3．按照权利要求1的半导体存储装置，其特征在于还包括设置在上述成两列排列的焊盘中的一列和另一列之间的至少一个输入/输出用缓冲器。

4．按照权利要求1的半导体存储装置，其特征在于还包括设置在上述成两列排列的焊盘中的一列和另一列之间的平滑用电容器，用于保持因驱动输出MOS-FET的升压电压。

5．按照权利要求1的半导体存储装置，其特征在于还包括：

设置在上述成两列排列的焊盘之一列的焊盘间、与上述数据输入/输出用的焊盘连接的输出MOSFET；

设置在上述成两列排列的焊盘中的一列与另一列之间、用于驱动上述输出MOSFET的输入/输出用缓冲器；

设置在上述成两列排列的焊盘中的一列与另一列之间、用于产生驱动上述输出MOSFET的升压电压的升压电压发生电路，以及

设置在上述成两列排列的焊盘中的一列与另一列之间、用于保持上述升压电压的平滑用电容器。

6．按照权利要求1的半导体存储装置，其特征在于，存储阵列块包括一对第一阵列块和一对第二阵列块，所述第一组焊盘排列在该对第一阵列块之间，而第二组焊盘排列在该对第二阵列块之间。

7．按照权利要求6的半导体存储装置，其特征在于，所述一对第一阵列块中相应的一个位于所述基本中心部分的第一部分的一侧，而所述一对第二阵列块中相应的一个位于所述基本中心部分的第二部分的一侧。

8．按照权利要求6的半导体存储装置，其特征在于，所述一对第一阵列块和所述一对第二阵列块放置的位置要提供一个其中不设置第一和第二阵列块的横向中心部分和纵向中心部分，所述其上设有焊盘的基本中心部分提供在纵向中心部分内。

9．按照权利要求8的半导体存储装置，其特征在于，外围电路设置在所述纵向和横向中心部分。

10．按照权利要求1的半导体存储装置，其特征在于，所述引线与所述半导体芯片电绝缘。

11．按照权利要求1的半导体存储装置，其特征在于还包括位于所述引线和半导体芯片之间的绝缘膜。

12．按照权利要求1的半导体存储装置，其特征在于，成两列排列的第一组焊盘设置成使相邻两列的焊盘不彼此相对。

13．一种半导体存储装置，包括：

一基片以及两个分别安装在所述基片相反两侧的半导体存储器，其中，所述两个存储装置之一的主表面与另一个存储装置的背面通过所述基片相对放置，两个存储装置的每一个包括：

一半导体芯片，该芯片具有一主表面和形成在所述主表面上的存储阵列块，以及多个形成在所述主表面基本中心部分的焊盘，所述多个焊盘包括第一组在该基本中心部分的第一部分延伸的焊盘以及第二组在该基本中心部分的第二部分延伸的焊盘；

一用于密封所述半导体芯片的树脂模块，以及

多根引线，所述多根引线中每一根的一端均位于所述半导体芯片的所述主表面之上，并与所述多个焊盘中相应的一个电学连接，而所述多根引线中每一根的另一端位于所述树脂模块的外部，其特征在于：

所述第一组焊盘排成两列，而所述第二组焊盘排成一列，以及

所述第一组焊盘包括用于数据输入/输出的焊盘。