[发明专利]磁控型溅射系统的阳极结构

权利要求书

1、在衬底上淀积薄膜的磁控型溅射设备，包括：

一个易抽空的涂膜室；

安装在涂膜室中的磁控管的阴极，其中该阴极包括具有待溅射材料的外表面的靶；和

安装在涂膜室中的阳极，其中该阳极包含一个电导体，从该导体辐射出多个点。

2、如权利要求1的磁控型设备，其特征在于所述靶是细长的，阳极包括长度大致等于靶长的细长结构，该细长结构设置在邻近细长靶并与之基本平行的位置。

3、如权利要求2的磁控型设备，其特征在于还包括界定第二导电体的第二阳极，该导电体有多个从第二导电体辐射出的多个点，所述第二阳极包括长度大致与靶长相同的第二细长结构，该第二细长结构位于邻近细长靶并大致与其平行以使第一阳级和靶之间的距离近似为第二阳极和靶的间距。

4、如前述任一权利要求的磁控型设备，其特征在于每个阳极包括系有多根金属丝的导电中心棒，每个金属线包括用以吸引电极和用以减小溅射期间介质材料累积在阳极上的速率。

5、如权利要求4的磁控型设备，其特征在于所述棒界定了没有系金属线的一个或多个间隔。

6、如前述任一权利要求的磁控型设备，其特征在于所述靶基本为平面。

7、如前述任一权利要求的磁控型设备，其特征在于所述靶是旋转园筒形。

8、在衬底上淀积薄膜的一种方法，该方法包括以下步骤：

将一阴极安装在真空涂膜室内，该阴极包括有待溅射材料外表面的靶;

将一阳极安装在真空涂膜室内，该阳极包括有多个从中辐射出的点的导电体;和

溅射该靶，从而在衬底上淀积一薄膜。

9、如权利要求8的淀积薄膜方法，其特征在于：所述靶是细长的，所述阳极包括长度近似为靶长的细长结构，该细长结构位于靶附近并基本与之平行，而且还包括使反应气体流入真空涂膜室的步骤。