[发明专利]发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，其中形成有多个外延层，该外延层界定出一基片上的发光部分，其特征在于，所述发光二极管包括：至少在所述基片表面上或外延层后表面上的多个凸台面部分，通过该凸台面部分将所述外延层与所述基片局部连接起来，从而在所述基片与除了所述台面部分之外的所述外延层之间形成一空腔层。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，在所述基片表面上有多个凸台面部分，所述凸台面部分的顶部深入所述外延层。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，在所述外延层的后表面上有多个凸台面部分，所述凸台面部分的顶部深入所述基片表面。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述基片为GaAs，而所述外延层为GaAlAs。

5.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述基片为GaAs，而所述外延层为GaAlAs。

6.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述基片为GaAs，而所述外延层为GaAlAs。

7.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述空腔层中灌有树脂。

8.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述空腔层中灌有树脂。

9.如权利要求3所述的发光二极管，其特征在于，所述空腔层中灌有树脂。

10.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：

所述半导体基片和外延层是第一导电类型的；并且该发光二极管还包括：

在所述半导体基片的顶部表面上生长出的覆盖层，该覆盖层亦为上述第一导电类型的；

在所述覆盖层上生长出的活性层，该活性层亦为上述第一导电类型的；

在所述活性层上生长出的窗口层，该窗口层为第二导电类型的；

在所述半导体基片的后表面上配置的第一电极，所述后表面是同所述顶表面相对的表面；以及

在所述窗口层的顶表面上配置的第二电极，所述窗口层的顶表面是对着面向所述活性层的一后表面的；

其中在所述半导体基片与所述覆盖层之间的交界面处提供有许多空腔，从而使从所述活性层发出的光能在该界面上反射。

11.如权利要求10所述的发光二极管，其特征在于，所述许多空腔中的每一个都是半圆形的。

12.如权利要求10所述的发光二极管，其特征在于，所述许多空腔中的每一个都是矩形的。

13.一种制造发光二极管的方法，其特征在于包括以下步骤：

在一基片的表面上形成多个凸台面部分；

在所述基片的所述表面上生长出一牺牲层，其厚度不超过所述凸台面部分的高度；

在所述基片上生长多个限定为发光部分的外延层；和

溶解除去所述牺牲层，以便在所述基片的所述表面与除所述凸台面部分之外的所述延延层之间形成一空腔层。

14.如权利要求13的制造发光二极管的方法，其特征在于还包括以下步骤：

在所述基片上生长多个限定为发光部分的外延层步骤之前，回熔所述基片表面的所述凸台面部分。

15.如权利要求13所述的制造发光二极管的方法，其特征在于，所述基片为GaAs，所述外延层为GaAlAs，所述牺牲层为GaAlAs，它具有比所述GaAlAs外延层更高比例的AlAs混合晶体，以及其中使用了含HF和H₂O₂或HF和H₂O的稀溶液作为溶解所述具有高比例AlAs混合晶体的GaAlAs牺牲层的溶液。

16.如权利要求14所述的制造发光二极管的方法，其特征在于，所述基片为GaAs，所述外延层为GaAlAs，所述牺牲层为GaAlAs，它具有比所述GaAlAs外延层更高比例的AlAs混合晶体，以及其中使用了含HF和H₂O₂或HF和H₂O的稀溶液作为溶解所述具有高比例AlAs混合晶体的GaAlAs牺牲层的溶液。