[发明专利]制造芯片隆起部的方法

权利要求书

1、一种在半导体芯片的焊接区上制造用于直接固定引线的金属的芯片隆起部的方法，该方法包括以下步骤：

在形成所述焊接区的衬底上形成阻挡层金属层；

在所述阻挡层金属层上形成光致抗蚀剂层，并在焊接区处开窗口；

通过电镀该窗口区而形成芯片隆起部；

用所述隆起部作为掩模选择性地去除所述光致抗蚀剂层；

用残留的光致抗蚀剂层作为掩模腐蚀所述阻挡层金属层的预定区域；以及

通过去除所述残留的光致抗蚀剂层而在所述焊接区上形成芯片隆起部。

2、如权利要求1所述的方法，其中，所述隆起部的厚度比所述阻挡层金属的厚度大数十倍，以便在腐蚀阻挡层金属期间不会因为对隆起部的腐蚀而引起隆起部厚度的较大变动。

3、如权利要求1所述的方法，其中，所述光致抗蚀剂的厚度在2至100微米的范围内。

4、如权利要求1所述的方法，其中，选择性地去除所述光致抗蚀剂层的工艺是应用所述隆起部的掩模遮蔽作用来进行的。

5、如权利要求1所述的方法，其中，所述阻挡层金属由复合层组成。

6、如权利要求5所述的方法，其中，所述阻挡层金属层的腐蚀是通过首先腐蚀所述复合层的上层阻挡层金属、然后去除所述隆起部之下的光致抗蚀剂层，和用上层阻挡层金属作为掩模腐蚀下层阻挡层金属的方式来进行的。