[发明专利]真空断路器以及真空管和用在其中的电触头无效
申请号: | 94108299.7 | 申请日: | 1994-07-13 |
公开(公告)号: | CN1061165C | 公开(公告)日: | 2001-01-24 |
发明(设计)人: | 小室胜博;児岛庆享;黑沢幸夫;湖口义雄;谷水彻;袴田好美;远藤俊吉 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所 |
主分类号: | H01H33/66 | 分类号: | H01H33/66;H01H1/02;H01H11/04 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 冯庚宣 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 真空 断路器 以及 真空管 中的 电触头 | ||
1.一种真空断路器,包括:
具有一固定电极和动电极的真空管,固定电极和动电极位于一绝缘容器内;
把配置在真空管内的所述固定电极和动电极分别连接到所述真空管外侧的导电端子;及
通过一绝缘棒来驱动所述电极的开/闭装置,上述绝缘棒被连接到动电极上;
所述的固定电极和所述的动电极各具有一弧电极,该弧电极用高熔点金属和高导电金属的合金来形成;还具有弧电极支撑件,该弧电极支撑件支撑所述弧电极,并由高导电金属形成,该断路器其特征在于所述的弧电极和所述的弧电极支撑件利用高导电金属的熔化相互形成一整体结构。
2.根据权利要求1的真空断路器,其中所述的弧电极用一种合金形成、所述的合金由Cr、W、Mo和Ta中的一种或混合物,以及从Cu、Ag和Au所选的高导电金属或主要由所述高导电金属构成的高导电合金来构成,所述的弧电极支撑件由所述高导电金属或合金来构成。
3.根据权利要求2的真空断路器,其中所述弧电极由一种合金制成,该合金包含其总量占重量50-80%的Cr、W、Mo和Ta中的一种或多种和占重量的20-50%的Cu,所述的弧电极支撑件由一种合金制成,该合金由其总量不大于重量2.5%的Cr、Ag、W、V、Nb、Mo、Ta、Zr、Si、Be、Ti、Co和Fe中的一种或多种以及Cu、Ag或Au组成。
4.根据权利要求1到3任一个的真空断路器,其中所述弧电极由一种合金制成、该合金包括多孔的高熔点金属和被渗透在其中的高导电金属,并且所述弧电极和所述弧电极支撑件通过所述高导电金属的相互熔化构成一整体结构。
5.根据权利要求4的真空断路器,其中高导电金属的垂直磁场发生线圈被装到所述固定电极和动电极中至少一个的所述弧电极支撑件上。
6.根据权利要求5的真空断路器,其中所述垂直磁场发生线圈利用所述高导电金属的焊接或熔化与所述弧电极支撑件形成一整体结构。
7.根据权利要求5或6的真空断路器,其中所述垂直磁场发生线圈是一圆筒形状,在其周边表面具有切口或具有大致上为形的截面。
8.根据权利要求7的真空断路器,包括三套所述的真空管,所述三套真空管并排布置,并整体安装在一绝缘树脂筒内。
9.一种真空断路器,包括:
一具有一固定电极和动电极的真空管,该固定电极和动电极位于一绝缘容器内;
把配置在真空管内的所述固定电极和动电极分别连接到真空管外侧的导电端子;
通过一绝缘棒来驱动所述动电极的开/闭装置,上述绝缘棒被连接到动电极上;
所述固定电极和所述动电极各具有一弧电极,该弧电极用高熔点金属和高导电金属的合金制成,还具有一弧电极支撑件,该弧电极支撑件支撑所述的弧电极,并且用高导电金属制成,该断路器其特征在于所述的弧电极和弧电极支撑件利用高导电金属的相互熔化构成一整体,所述弧电极支撑件具有不低于10kg/mm2的0.2%屈服强度和不高于2.8μΩcm的电阻系数。
10.在一保持高度真空的绝缘容器中具有一固定电极和一动电极的一种真空管,所述的电极每个由一弧电极和一弧电极支撑件组成,所述弧电极由高熔点金属和高导电金属的混合物制成、所述弧电极支撑件支撑所述弧电极,并由高导电金属制成,其特征在于所述弧电极和所述弧电极支撑件用高导电金属的相互熔化构成一整体。
11.根据权利要求10的真空管,其中高导电金属的垂直磁场发生线圈被安装在所述固定电极和动电极中至少之一的所述弧电极支撑件上。
12.根据权利要求10或11的真空管,其中所述垂直磁场发生线圈是圆筒形状的,在其周边表面上有切口或具有大致上为形的横截面。
13.根据权利要求10的真空管,其中所述固定电极和所述动电极为导板式形状,其外周部被切口分开。
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