[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 94108851.0 | 申请日： | 1994-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN1052571C | 公开（公告）日： | 2000-05-17 |
| 发明（设计）人： | 张宏勇;寺本聪 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/336;H01L21/82 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王岳,程天正 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，包括下列各步骤：
在一个衬底上，形成一个非单晶半导体膜；
选择性地配置一个含有金属的膜，用以促进与所述半导体膜相接触的硅的晶化，其中所述金属是至少一种从下列金属所组成的物质组中所选出的金属：Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Cu和Zn；以及
使所述半导体膜晶化，
所述方法的特征在于：使所述含有金属的膜配置成与所述半导体膜的一侧相接触，而且从该一侧开始晶化。
2.按权利要求1的方法，其特征在于：通过用绝缘膜覆盖所述半导体膜的上表面，使所述一侧裸露出来，而使所述含有金属的膜配置成与所述半导体膜的所述一侧相接触。
3.按权利要求2的方法，其特征在于还包括：
在所述衬底上淀积一个非单晶半导体层；
在所述非单晶半导体层上形成绝缘层；
对所述半导体层和所述绝缘层刻图，以形成所述非单晶半导体膜和所述绝缘膜。
4.按权利要求1的方法，其特征在于：晶化之后，除去所述含有金属的膜，以得到包括平行于所述衬底生长的晶体的结晶半导体膜。
5.按权利要求1的方法，其特征在于：利用晶化了的半导体膜来制造薄膜晶体管。
6.按权利要求1的方法，其特征在于：所述晶化从所述一侧近乎平行于所述衬底地进行。
7.按权利要求6的方法，其特征在于还包括在晶化的半导体膜中形成源区和漏区的步骤，其中所述源区和漏区沿着晶化进行的方向配置。
8.按权利要求1的方法，其特征在于还包括以下步骤：
除去晶体开始生长的部分和晶体停止生长的部分；以及
使用轻掺有促进晶化的金属元素区域来制造半导体器件。
9.按权利要求1的方法，其特征在于，所述非单晶半导体膜包括非晶硅。
10.按权利要求2的方法，其特征在于，所述绝缘膜包括氧化硅。
11.按权利要求1的方法，其特征在于，所述含有金属的膜包括硅化镍。
12.按权利要求1的方法，其特征在于，所述金属是镍。
13.按权利要求1的方法，其特征在于，所述含有金属的膜包括所述金属的硅化物。
14.按权利要求1的方法，其特征在于，通过加热，进行所述晶化。
15.按权利要求1的方法，其特征在于还包括使一部分所述晶化的半导体膜包括所述一侧的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
