[发明专利]下降法生长大尺寸碘化铯(CsI)晶体新技术

权利要求书

1．一种下降法生长碘化铯晶体的技术，包括：

    (1)原料处理

        A采用纯度为99.99％的CsI原料；

        B原料在～80℃脱OH^-；

    (2)生长炉

        A生长炉内外均处于大气气氛中；

        B发热体使用硅碳棒；

        C炉子下底部设有辅助加热器；

    其特征在于：

    (1)使用铂坩埚

        A有底单层或双层铂坩埚，形状为光底或长方形或平底，坩埚壁厚0.12-0.20mm，形状与生长晶体的形状有关；

        B使用时坩埚处于密封状态；

    (2)晶体生长

        A生长条件：

         熔    料：660-700℃

         温度梯度：～30℃

         生长速率：1.5-3.5mm/小时

         降温速率：～20℃/小时

        B坩埚内以含碘气体(HI、CI₄)作生长气氛；

        C采用有籽晶生长与无籽晶生长二种方法。

2．根据权利要求1所述的下降法生长碘化铯晶体的技术，其特征在于：

    (1)铂坩埚为φ30×250的光底坩埚，壁厚为0.12mm，真空密封且经密封检漏；

(2)生长炉采用四根直型硅碳棒，炉膛每边设置二根，使用每边一根的硅碳棒做辅助加热器；

(3)熔料温度为670℃，恒温4小时；晶体生长速率为3.5mm/小时，坩埚内充CI₄气体。

3．根据权利要求1所述的下降法生长碘化铯晶体的技术，其特征在于：

    (1)坩埚使用40×40×300的有底铂坩埚，壁厚为0.16mm；

    (2)籽晶生长，轴向为[001]，晶体生长速率为2.5mm/小时；接种处控温为630℃；坩埚内充CI₄气体。

4．根据权利要求1所述的下降法生长碘化铯晶体的技术，其特征在于：

    (1)坩埚为双层60×60×550有底铂坩埚；

    (2)晶体生长速度为2.0mm/小时，籽晶生长，轴向为[001]，接种处控温为630℃，坩埚内充CI₄气体。

5．根据权利要求1所述的下降法生长碘化铯晶体的技术，其特征在于：

    (1)采用φ50的平底坩埚生长，真空密封；

    (2)无籽晶生长，生长速率为35mm/小时，熔料温度为670℃，恒温4小时，坩埚内充HI气体。

6．根据权利要求1所述的下降法生长碘化铯晶体的技术，其特征在于：

    (1)在4N高纯CsI中掺入0.06wt％TlI；

    (2)使用60×60×550的铂坩埚；壁厚为0.12mm；

    (3)熔料温度670℃，生长速率为3.5mm/小时；

    (4)坩埚内充CI₄气体。