[发明专利]一种制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种在衬底上制造半导体器件的方法，包括下列各步骤：

配置与包括硅的半导体层接触的一种形成氧化硅的前体材料，其中该前体材料包括能促进所述半导体层晶化的金属或金属化合物；

预烘该衬底以形成包括由前体材料形成的氧化硅的膜，该膜的厚度为200-1300；和

在450℃或更高的温度下，加热所述的半导体层，以便晶化所述的半导体层；

所述金属选自Pd、Pt、Cu、Ag、Au、In、Sn、Pb、P、As、Sb和Ni；和

所述金属化合物选自镍化合物、铁盐、钴盐、钌盐、铑盐、锇盐、铱盐、铂盐、铜化合物和金化合物。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于所述半导体层是非晶的。

3.根据权利要求1的方法，其特征在于所述薄膜配置在所述衬底和所述半导体层之间。

4.根据权利要求1的方法，其特征在于所述退火在不高于500℃的温度下进行。

5.根据权利要求1的方法，其特征在于所述薄膜形成在所述半导体膜上。

6.根据权利要求1的方法，其特征在于所述薄膜包括氧化硅。

7.根据权利要求1的方法，其特征在于所述金属或金属化合物在晶化时，扩散入所述半导体层。

8.根据权利要求1的方法，进一步包括扩散所述金属或金属化合物进入所述半导体层。

9.根据权利要求1的方法，其特征在于所述金属或金属化合物在晶化期间扩散进整个所述半导体层。

10.根据权利要求1的方法，其特征在于前体材料是液体。

11.根据权利要求10的方法，其特征在于所述液体包括有机溶剂。

12.根据权利要求1的方法，其特征在于所述前体材料通过旋涂法涂敷在所述半导体层上。

13.根据权利要求1的方法，还包括在所述退火后，用辐射光增加所述半导体层结晶度的步骤。

14.根据权利要求1的方法，其特征在于在所述衬底上形成的所述半导体层至少具有相互邻接的第1区和第2区；所述氧化硅与所述半导体层的第1区相接触，加热所述半导体层，使所述金属从所述半导体层的第1区扩散入与其邻接的所述半导体层的第2区，从而晶化所述半导体层的第2区。

15.根据权利要求14的方法，其特征在于所述薄膜主要包括氧化硅。

16.根据权利要求14的方法，其特征在于所述第2区的晶体基本上沿与所述衬底表面平行的方向生长。

17.根据权利要求14的方法，其特征在于在其晶化之后，除去所述第1区的步骤，以便在所述第2区内留下所述半导体器件的有源区。

18.根据权利要求1的方法，还包括将所述氧化硅刻成图形，以便仅使所述半导体的选定区晶化的步骤。

19.根据权利要求1的方法，其特征在于所述预烘在这样的低温度下进行，以致所述金属或金属化合物实际上没有扩散入所述半导体层。

20.根据权利要求1的方法，还包括以下步骤：

氧化所述半导体膜的表面，在所述半导体膜上形成氧化物膜；

使所述金属或金属化合物通过所述氧化物膜扩散入所述半导体膜，其中所述氧化物膜足够薄，容许所述金属或金属化合物穿透此膜。

21.根据权利要求20的方法，其特征在于所述氧化物膜由热氧化形成。

22.根据权利要求20的方法，其特征在于所述氧化物膜由增强的UV拍照氧化法形成。

23.根据权利要求20的方法，其特征在于所述氧化物膜是由将所述半导体膜表面曝露于过氧化氢溶液而形成。

24.根据权利要求23的方法，其特征在于所述过氧化氢溶液包括选自铵、硫酸、盐酸的材料。