[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种形成在衬底上的半导体器件，包括在有源矩阵电路中形成的至少一个第一薄膜晶体管和在驱动有源矩阵电路的驱动电路中形成的至少两个第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管具有第一阳极氧化层和第一偏置区，每个第二薄膜晶体管具有第二阳极氧化层和第二偏置区，

其中第一阳极氧化层的厚度与第二阳极氧化层的厚度相一致。

2.根据权利要求1的器件，其特征在于第一偏置区的电阻大于第二偏置区的电阻。

3.根据权利要求1的器件，其特征在于第一偏置区的宽度大于第二偏置区的电阻。

4.根据权利要求1的器件，其特征在于第一偏置区的宽度与第二偏置区的宽度相一致，以及

其中所述第一薄膜晶体管进一步包括第一轻掺杂的漏极区，所述第二薄膜晶体管进一步包括第二轻掺杂的漏极区，并且所述第一轻掺杂的漏极区的宽度与所述第二轻掺杂的漏极区的宽度不同。

5.根据权利要求4的器件，其特征在于所述第一轻掺杂的漏极区的宽度大于所述第二轻掺杂的漏极区。

6.根据权利要求4的器件，其特征在于驱动电路进一步包括至少一个第三薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管包括第三轻掺杂的漏板区，并且所述第三轻掺杂的漏极区的宽度小于所述第一轻掺杂的漏极区的宽度。

7.根据权利要求1的器件，其特征在于第一偏置区的电阻与第二偏置区的电阻相一致，以及

其中所述第一薄膜晶体管进一步包括第一轻掺杂的漏极区，所述第二薄膜晶体管进一步包括第二轻掺杂的漏极区，并且所述第一轻掺杂的漏极区的电阻大于所述第二轻掺杂的漏极区的电阻。

8.根据权利要求1的器件，其特征在于所述第一薄膜晶体管进一步包括杂质区，并且第一阳极氧化层远离杂质区。

9.一种形成在衬底上的包括多个薄膜晶体管的半导体器件，至少一个第一薄膜晶体管形成在有源矩阵电路中，至少一个第二薄膜晶体管形成在驱动有源矩阵电路的驱动电路中，

其中每个薄膜晶体管包括：形成在包括高浓度杂质区的所述衬底上的有源层，形成在它们之间的沟道形成区，形成在一个高浓度杂质区和沟道形成区一侧之间和形成在另一个高浓度杂质区和沟道形成区另一侧之间的低浓度杂质区，以及与有源层相邻形成的栅极电极，具有置于它们之间的绝缘膜，以及

其中绝缘膜的两侧与每个低浓度杂质区的一侧一致，每个低浓度杂质区与每个高浓度杂质区接触。

10.根据权利要求9的器件，其特征在于第一薄膜晶体管的所述低浓度杂质区的宽度大于第二薄膜晶体管的所述低浓度杂质区的宽度。

11.根据权利要求9的器件，其特征在于第一薄膜晶体管的所述低浓度杂质区的电阻大于第二薄膜晶体管的所述低浓度杂质区的电阻。

12.一种形成在具有绝缘表面的衬底上的半导体器件，包括多个薄膜晶体管，

其中每个薄膜晶体管包括形成在绝缘表面上的有源层，包括杂质区，形成在它们之间的沟道区，以及形成在一个杂质区和沟道区的一侧之间和形成在另一个杂质区和沟道区的另一侧之间的高阻区，以及

其中一个薄膜晶体管的高阻区的宽度大于另一个薄膜晶体管的高阻区的宽度。

13.根据权利要求12的器件，其特征在于所述高阻区至少包括偏置区。

14.根据权利要求12的器件，其特征在于所述高阻区至少包括低浓度杂质区。

15.根据权利要求12的器件，其特征在于所述一个薄膜晶体管形成在所述半导体器件的有源矩阵电路中，另一薄膜晶体管形成在所述半导体器件的驱动电路中。