[发明专利]制造半色调式相移掩模的方法

权利要求书

1．一种制造相移掩模的方法，包括下列工序：

在一透明衬底上形成铬图形；

在所形成的结构的整体表面上，依次涂敷一相移层和一负光刻胶膜；

以铬图形作为掩模，从透明衬底的背面进行光照射，使光刻胶膜曝光，并使光刻胶膜的受照射区域显影，从而形成光刻胶膜图形；

以光刻胶膜图形作为掩模，蚀刻相移层，从而形成相移图形，每一相移图形均位于铬图形之间；

对铬图形进行湿法蚀刻，即在铬图形的上表面和相对边缘处进行蚀刻，使每一铬图形与每一相移图形相互分离；以及

除去光刻胶膜图形，此时透明衬底从介于被蚀刻的铬图形与相移图形之间的空间中暴露出来。

2．一种制造相移掩模的方法，包括下列工序：

在一透明衬底上形成相互分离的多个铬图形；

在所形成的结构的整体区域上依次涂敷一相移层和一负光刻胶膜；

以铬图形作为掩模，从透明衬底的背面进行光照射，使光刻胶膜短时间曝光；

使光刻胶膜的受光照区域显影，从而形成光刻胶膜图形，此图形之宽度比铬图形之间距窄；

以光刻胶膜图形作为掩模，蚀刻相移层，从而形成相移图形，每一相移图形与每一铬图形是分离的；

除去光刻胶膜，此时透明衬底从介于铬图形与相移图形之间的空间中暴露出来。