[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：

形成一个至少包括在一个绝缘表面上的源区、漏区和沟道区的有源半导体层；

在所述有源半导体层上形成绝缘膜；

在所述绝缘膜上形成栅极；

使所述栅极在电解液中经受阳极化处理，以在所述栅极的至少一个侧面上形成所述栅极的氧化物；

用所述氧化物作为掩模腐蚀所述绝缘膜的至少一部分，从而形成栅极绝缘膜；

去除在所述栅极的所述侧面上所形成的所述氧化物，使所述栅极绝缘膜的一部分裸露出来；然后

在所述栅极和所述栅极膜的所述裸露部分上形成能俘获正离子的膜。

2.根据权利要求1的方法，其特征在于还包括以下步骤：在所述经受阳极化处理的步骤之后而在所述腐蚀步骤之前在所述栅极上形成阻挡型阳极氧化膜。

3.根据权利要求1的方法，其特征在于还包括以下步骤：在所述腐蚀步骤之后用所述栅极作为掩模，将杂质离子引入所述有源层的一部分。

4.根据权利要求3的方法，其特征在于还包括以下步骤：激活被引入所述有源层的所述杂质离子。

5.根据权利要求1的方法，其特征在于还包括以下步骤：用离子掺杂法将氢引入所述所述沟道与所述源区之间以及所述沟道与所述漏区之间的部位，浓度为0.01-10at/cm³。

6.根据权利要求5的方法，其特征在于还包括以下步骤：在引入所述氢之后，对所述有源层在200-400℃温度下进行退火。

7.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：

在一个绝缘表面上形成结晶半导体层；

在所述结晶半导体层上形成包括氧化硅的绝缘膜；

在所述绝缘膜上形成栅极；

使所述栅极在电解液中经受阳极化处理，以在所述栅极的至少一个侧面上形成所述栅极的氧化物；

用所述氧化物作为掩模腐蚀所述绝缘膜的至少一部分，从而形成栅极绝缘膜；

在所述腐蚀步骤之后，去除在所述栅极的所述侧面上所形成的所述氧化物，使所述栅极绝缘膜的一部分裸露出来；

在去除在所述栅极的所述侧面上所形成的所述氧化物的步骤之后，用所述栅极和所述栅极绝缘膜作为掩模，选择性地将杂质离子引入所述半导体层，使之具有一种导电性类型，其中所述半导体层延伸超出所述氧化物的部分以第一浓度掺有所述杂质离子，而所述半导体层位于所述栅极绝缘膜的裸露部分的下面的部分则以小于所述第一浓度的第二浓度掺有所述杂质离子；以及

至少在所述栅极和所述栅极绝缘膜的所述裸露部分上形成一个包括氮化硅的膜。

8.根据权利要求7的方法，其特征在于还包括以下步骤：在所述经受阳极化处理的步骤之后而在所述腐蚀步骤之前在所述栅极上形成阻挡型阳极氧化膜。

9.根据权利要求7的方法，其特征在于，所述第一浓度为1×10²⁰至2×10²¹at/cm³，所述第二浓度则为1×10¹⁷至2×10¹⁸at/cm³。