[发明专利]一种间热式阴极套筒及其制造方法无效
| 申请号： | 94115353.3 | 申请日： | 1994-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN1087483C | 公开（公告）日： | 2002-07-10 |
| 发明（设计）人： | 郑吉永;李庆相;朴公锡;高炳斗;朴宪建 | 申请（专利权）人： | 株式会社金星社 |
| 主分类号： | H01J1/20 | 分类号： | H01J1/20;H01J1/24;H01J9/02 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王以平 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 间热式 阴极 套筒 及其 制造 方法 | ||
1.一种间热式阴极套筒，它包括：
阴极套筒，它由一片内有热子的金属板制成；
形成在阴极套筒顶部的基底金属；以及
形成在基底金属外表面的电子发射材料层；
其特征在于：
所述间热式阴极套筒由单层金属板制成，该金属板包括一黑色的内表面和一还原的白色外表面。
2.按照权利要求1所述的间热式阴极套筒，其特征在于所述阴极套筒由双金属制成，阴极套筒内表面由镍-铬合金制成，阴极套筒外表面由含有少量镁，或硅，或钨的镍合金制成。
3.一种制造间热式阴极套筒的方法，它包括如下工序：
制成由双金属组成的阴极套筒结构，所述双金属的内表面由镍-铬合金制成，其外表面由含有少量镁，或硅，或钨的镍合金制成；
通过高温湿氢环境使阴极套筒内表面氧化；
有选择地腐蚀该阴极套筒的外表面，在阴极套筒的顶部制成基底金属；以及
在基底金属的外表面制成电子发射材料层；
其特征在于：所述氧化工序在1100℃的温度下进行，且该氧化工序有一热处理氢的露点，范围从0℃至20℃。
4.按照权利要求3所述的方法，其特征在于：
所述基底金属由含有少量镁、硅或钨的镍合金制成，它焊接在所述阴极套筒敞开的顶部。
5.按照权利要求3所述的方法，其特征在于：所述腐蚀工序之后接着一还原工序，该还原工序在高温干氢环境中进行。
6.按照权利要求5所述的方法，其特征在于：所述还原工序包括一热处理氢的露点，它低于0℃。
7.按照权利要求5所述的方法，其特征在于：所述还原工序有一热处理温度，它设置得比氧化工序中的温度低。
8.按照权利要求5所述的方法，其特征在于：所述还原工序有一低于-40℃的热处理氢的露点。
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