[发明专利]半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 94115769.5 | 申请日： | 1994-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN1050694C | 公开（公告）日： | 2000-03-22 |
| 发明（设计）人： | 矢野航作;杉山龙男;上田聪;野村登 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 杜日新 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件，包括
半导体衬底；
在上述半导体衬底的一主面上部分地形成的第一层布线层；
在上述半导体衬底的一主面和上述第一层布线层上，在整个面上形成的第一层硅氧化膜；
在上述第一层硅氧化膜上，整个面上形成的由具有疏水基的分子构成的分子层；
用利用了臭氧与有机系硅进行反应的CVD法，在上述分子层上，在整个面上形成的第二层硅氧化膜，和
在上述第二层硅氧化膜上，部分地形成的第二层布线层。
2.如权利要求1的半导体器件，其中上述分子层由界面活性剂形成。
3.如权利要求2的半导体器件，其中上述界面活性剂含有硅或锗。
4.如权利要求1的半导体器件，其中上述有机系硅是四乙氧基硅烷。
5.一种制造半导体器件的方法，包括步骤：
在半导体衬底的一主面上部分地形成第一层布线层的步骤，
在上述半导体衬底的一主面和上述第一层布线层上，在整个面上形成第一层硅氧化膜的步骤；
在上述第一层硅氧化膜上，采用甲硅烷化反应方法在整个面上形成由具有疏水基的分子构成的分子层的步骤；
用利用臭氧和有机系硅进行反应的CVD法在上述分子层上边，在整个面上形成第二层硅氧化膜的步骤；
在上述第二层硅氧化膜上边，部分地形成第二层布线层。
6.如权利要求5所述的半导体器件制造方法，上述分子层由界面活性剂构成。
7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其中上述界面活性剂含有硅或锗。
8.如权利要求5所述的半导体器件的制造方法，其中上述有机系硅为四乙氧基硅烷。
9.如权利要求5所述半导体器件的制造方法，其中分子层形成步骤是，用利用液体涂敷或喷蒸而产生的气相固相界面反应，在上述半导体衬底的一主面和第一层布线层上，在整个面上形成分子层的步骤。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电器产业株式会社，未经松下电器产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/94115769.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：使用橡胶轮而移动的起重机
- 下一篇：高效抗肿瘤γ型干扰素突变体的制法和用途
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
