[发明专利]制造半导体器件的方法无效
| 申请号： | 94115974.4 | 申请日： | 1994-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN1052566C | 公开（公告）日： | 2000-05-17 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;武内晃;竹村保彦;岛田浩行 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/70 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 马铁良,萧掬昌 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制造 半导体器件 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：
在基片上形成半导体膜；
用光照射半导体膜以便使半导体膜晶体化；
在光照射后，在半导体膜上形成由氧化硅和氮化硅中选出的一种材料构成的绝缘膜；
其特征在于：所述半导体膜在氧化气氛中用光照射，从而半导体膜的表面通过照射而氧化。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，半导体膜包括非晶硅。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，半导体膜包括多晶硅。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，绝缘膜是在所述光照射之后，不使半导体膜暴露于空气中而形成的。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光为激光。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在形成绝缘膜之前，在氢气氛中使半导体膜退火。
7.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：
在基片上形成半导体膜；
用光照射半导体膜以便使半导体膜晶体化；
在光照射后，在半导体膜上形成由氧化硅和氮化硅中选出的一种材料构成的绝缘膜；
其特征在于，所述半导体膜在氮气氛中用光照射，半导体的膜的表面通过照射而氮化。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述半导体膜包括非晶硅。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述半导体膜包括多晶硅。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述绝缘膜的形成是在光照射之后，不使半导体膜暴露于空气中而进行的。
11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述光是激光。
12.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，进一步包括在绝缘膜形成之前，在氢气氛中使半导体膜退火的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
