[发明专利]控制准直溅射源的方法

权利要求书

1、一种自动控制溅射源的方法，所述溅射源带有准直器，并可借助计算机进行控制，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

(a)为所述计算机提供软件，它包括用来计算乘数的公式，所述乘数为准直器寿命的函数；

(b)使用溅射源通过所述准直器在一系列衬底上顺次沉积由来自溅射靶材料组成的薄膜；

(c)监测准直器的寿命；

(d)在步骤(6)期间利用所述软件这样来自动地、周期性调节作为所述乘数的函数的可控溅射参数值，使得当被溅射材料积聚在准直器上时，由该源在所述系列上沉积的薄膜性能基本上不会在衬底与衬底之间发生变化。

2、如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述公式的形式为n级多项式。

3、如权利要求2所述的方法，其特征在于，n至少为3。

4、如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述多项形式为：

AF＝1+ax+bx²+cx³+dx⁴+ex⁵

其中AF为所述乘数，a、b、c、d和e为系数，而x则为准直器的寿命。

5、如权利要求4所述的方法，其特征在于，准直器的寿命用准直器寿命期间施加至溅射源的能量的千瓦小时数来表示。

6、如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述公式的形式为：

AF＝yo（yo-mtx），

其中AF为所述乘数，yo为准直器崭新时的沉积速率，M_T时间T时沉积速率对靶极寿命之关系曲线的斜率，而x则为准直器的寿命。

7、如权利要求6所述的方法，其特征在于，在准直器整个寿命中M_T为常数。

8、如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括这样的步骤：监测溅射靶的寿命，并利用所述软件自动地周期性地调节一作为溅射靶寿命之函数的可控溅射参数。

9、如权利要求8所述的方法，其特征在于，所调节的作为溅射靶寿命之函数的可控溅射参数与步骤（d）所调节的可控溅射参数不同。

10、如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述溅射参数是沉积功率。

11、如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述溅射参数是沉积时间。

12、如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述公式通过定义一调节因子确定特定衬底沉积期间要用的所述溅射参数值，该调节因子被乘以对所述衬底系列中的衬底进行溅射期间所用的参数值以取得对所述衬底系列中的下一衬底进行溅射期间要用的参数值。

13、如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述溅射参数在所述衬底系列中的每一衬底加工完成之后进行。

14、如权利要求1所述的方法，其特征在于，由含有多个衬底的盒中将所述衬底系列输送入所述的溅射源中，而且其中所述溅射参数的调节在每一盒加工完成之后进行。

15、如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述公式由实验方法确定。

16、如权利要求1所述的方法，其特征在于，以预定工段时间的子间隔时间更换所述的准直器，而以I_x段时的间隔时间更换所述的溅射靶，其中，x是大于1的整数，且其中在I_x时间间隔中的每一子间隔时间使用不同的公式，这样系统对准直器的老化及溅射靶的老化两者同时进行补偿。

17、如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述溅射源是一平面磁控管溅射源。

18、如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述薄膜的性能为膜厚。

19、一种磁控管溅射源，其特征在于，包括：

真空外壳;

装在所述真空外壳内的溅射靶;

装在所述真空外壳内的大圆片平台;

产生接近于所述溅射靶表面的等离子体用装置;

在所述真空外壳内位于所述溅射靶所述大圆片平台之间的准直过滤器;

用来控制溅射源以沉积薄膜的计算机装置，该膜由来自所述准直靶经所述准直过滤器到达衬底上的材料组成;

监测所述准直过滤器之寿命的装置;

所述计算机用的软件手段，它包括一公式，该公式这样来自动地周期性地调节作为所述准直过滤器寿命之函数的可控溅射参数值，使得所沉积薄膜的性质当有被溅射材料积聚在准直过滤器上时，基本上不会发生衬底与衬底之间的变化。