[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

在绝缘表面上形成半导体膜；

在所述半导体膜里形成沟道区；

在所述半导体膜里形成源和漏区，并使其包含一种导电类型的杂质；

在所述半导体膜上形成栅绝缘膜；以及

在所述栅绝缘膜上形成栅电极；

其特征在于，在所述沟道区及源和漏区之间的所述半导体膜里形成含有与所述源和漏区所含相同杂质的高电阻区，所述高电阻区具有比所述源和漏区的电阻值高；

其中所述绝缘层的所边缘与所述高电阻区及所述源和漏区之间的边缘对齐。

2.根据权利要求1的薄膜晶体管，其特征在于，所述高电阻区的薄层电阻为10至500kΩ/口。

3.根据权利要求2的薄膜晶体管，其特征在于，所述源和漏区的薄层电阻为10至50kΩ/口。

4.根据权利要求1的薄膜晶体管，其特征在于，它还包括至少在所述栅电极的侧表面上形成的氧化膜。

5.根据权利要求1的薄膜晶体管，其特征在于所述栅绝缘膜的所述边缘与所述高电阻区及所述源和漏区之间的边界对齐，且所述沟道区伸出所述栅电极的侧边缘以形成一对偏移区。

6.根据权利要求1的薄膜晶体管，其特征在于，所述源和漏区包括金属硅化物。

7.根据权利要求1的薄膜晶体管，其特征在于，所述高电阻区包含至少氮、碳和氧之一，其浓度高于所述源和漏区及所述沟道区。

8.根据权利要求1的薄膜晶体管，其特征在于，所述半导体膜包括结晶硅。

9.一种电光显示器件，包括：有多个第一种薄膜晶体管的有源矩阵电路和有多个第二种薄膜晶体管的驱动电路，这两种电路都在衬底上形成，所述薄膜晶体管各包括：

在绝缘表面上形成的半导体膜；

在所述半导体膜里形成的沟道区；

在所述半导体膜里形成的源和漏区，其中包含一种给定导电类型的杂质；

在所述沟道区和所述源和漏区之间的所述半导体膜里形成高电阻区，所述高电阻区具有高于所述源和漏区的电阻；

在所述半导硅膜上形成栅绝缘膜，该处的所述栅绝缘膜伸出所述栅电极的侧边缘以覆盖所述高电阻区；以及

在所述栅绝缘膜上形成栅电极，

其中多个第一种薄膜晶体管的所述高电阻区的电阻大于多个第二种薄膜晶体管的所述高电阻区的电阻。

10.根据权利要求9的器件，其特征在于，所述栅绝缘膜的侧边缘和所述高电阻区及源和漏区之间的边界对齐。

11.根据权利要求9的器件，其特征在于，所述高电阻区至少包含氮、碳和氧中之一，其浓度高于所述源和漏区及所述沟道区中的任何一个区的浓度。

12.根据权利要求9的器件，其特征在于，所述半导体膜包括结晶硅。

13.根据权利要求6的薄膜晶体管，其特征在于，所述金属硅化物由钛、镍、钼、钨、铂和钯的硅化物组成的组合中选出。