[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1、一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：

在半导体基片的一个表面上设置连接电极；

形成具有在所说的基片的一个表面上形成的窗口的有机膜，所说的连接电极的至少一部分表面通过所说的窗口露出；

腐蚀所说的连接电极露出的表层；

淀积与所说的连接电极相连接的突出电极；以及

腐蚀所说的有机膜的表层；

2、根据权利要求1的方法，其特征在于，在设置所说的连接电极的步骤之后、形成所说的有机膜的步骤之前还包括形成无机膜的步骤，所说的无机膜具有在所说的基片的一个表面上形成的窗口，所说的连接电极的至少一部分表面通过所说的窗口露出。

3、根据权利要求2的方法，其特征在于，所说的在有机膜形成步骤所形成的有机膜的窗口外形比所说的无机膜的窗口大。

4、根据权利要求3的方法，其特征在于，在所说的腐蚀连接电极的裸露表面的步骤中进行干腐蚀；在所说的腐蚀有机膜的表面层的步骤中进行干腐蚀。

5、根据权利要求4的方法，其特征在于，在所说的腐蚀连接的电极的裸露表层的步骤中；用氩实行干腐蚀，在所说的腐蚀有机膜的表层的步骤中，用氧实行干腐蚀。

6、根据权利要求5的方法，其特征在于，所说的有机膜是在所说的有机膜形成步骤中，由树脂制成的。

7、根据权利要求6的方法，其特征在于，所说的树脂包括聚酰亚胺。

8、根据权利要求5的方法，其特征在于，所说的连接电极是由贱金属在所说的连接电极形成步骤制成的。

9、根据权利要求2的方法，其特征在于，在所说的有机膜形成步骤中形成的有机膜的窗口外形比所说的无机膜的窗口小。

10、根据权利要求9的方法，其特征在于，在所说的腐蚀连接电极的裸露表层的步骤中实行干腐蚀；在所说的腐蚀有机膜的表层的步骤中实行干腐蚀。

11、根据权利要求10的方法，其特征在于，在所说的腐蚀连接电极裸露表层的步骤中，用氩实行干腐蚀；在所说的腐蚀有机膜的表层步骤中，用氧实行干腐蚀。

12、根据权利要求11的方法，其特征在于，所说的有机膜是由树脂在所说的有机膜形成步骤中制成的。

13、根据权利要求12的方法，其特征在于，所说的有机膜包括聚酰亚胺。

14、根据权利要求11的方法，其特征在于，所说的连接电极是由贱金属在所说的连接电极形成步骤制成的。

15、根据权利要求1的方法，其特征在于，所说的有机膜形成步骤中形成的有机膜窗口外形比所说的连接电极大。

16、根据权利要求15的方法，其特征在于，所说的腐蚀连接电极的裸露表层的步骤中，实行干腐蚀；在所说的腐蚀有机膜的表面层的步骤中实行干腐蚀。

17、根据权利要求16的方法，其特征在于，在所说的腐蚀连接电极的裸露表层的步骤中，用氩实行干腐蚀；在所说的腐蚀有机膜表层的步骤中，用氧实行干腐蚀。

18、根据权利要求17的方法，其特征在于，所说的有机膜是在所说的有机膜形成步骤中用树脂制成的。

19、根据权利要求18的方法，其特征在于，所说的树脂包括聚酰亚胺。

20、根据权利要求16的方法，其特征在于，所说的连接电极是在所说的连接电极形成步骤中由贱金属制成的。

21、根据权利要求1的方法，其特征在于，在腐蚀连接电极的裸露表层的步骤中，实行干腐蚀；在腐蚀有机膜的表层的步骤中，实行干腐蚀。

22、根据权利要求21的方法，其特征在于，在所说的腐蚀连接电极裸露表层的步骤中，用氩实行干腐蚀；在所说的腐蚀有机膜表层的步骤中，用氧实行干腐蚀。

23、根据权利要求22的方法，其特征在于，所说的有机膜是在所说的有机膜形成步骤中，由树脂制成的。

24、根据权利要求23的方法，其特征在于，所说的树脂包括聚酰亚胺。