[发明专利]多层磁电阻检测器及其制造方法和磁存储系统

权利要求书

1．一种多层磁电阻检测器，包括第一和第二铁磁材料层，由一非磁性材料层分隔，形成多层磁结构，其特征在于：

所述多层磁结构上形成有图案以形成一个多元件平面阵列，所述阵列的各个元件与相邻的元件相分隔，在所述阵列上形成有一个由导电材料制成的导电层，导电材料填充所述元件之间的空间，以在所述多层磁结构的平面中的所述元件之间提供导电性，所述阵列的各个所述元件具有所希望的形状，且其在所述多层磁结构的平面中的最大尺寸为10.0微米或更小，各个所述元件的第一和第二铁磁层在其相对的边缘上借助静磁耦合而以反铁磁的方式耦合，作用场包括存在于各个所述元件的所述第一和第二铁磁层之间的所述静磁耦合部分和交换耦合部分，所述第一和第二铁磁层之间的净作用场是反铁磁的，所述第一铁磁层中的磁化方向基本上与所述第二铁磁层中的磁化方向反平行，在各个铁磁层中的磁化方向根据所加的磁场而转动，所述磁电阻检测器的电阻作为相邻铁磁层中的磁化方向之间角度变化的函数而变化。

2．根据权利要求1的多层磁电阻检测器，其特征在于各个所述元件具有一般为圆形的形状。

3．根据权利要求1的多层磁电阻检测器，其特征在于各个所述元件具有一般为矩形的形状。

4．根据权利要求1的多层磁电阻检测器，其特征在于所述多层磁结构上被形成图案以形成一个不连续阵列，这种不连续阵列与所述铁磁层相垂直并与各个所述铁磁层中的磁各向异性方向相交。

5．根据权利要求4的多层磁电阻检测器，其特征在于所述多层磁结构上被形成图案，以形成通过所述多层磁结构的开口的阵列。

6．根据权利要求5的多层磁电阻检测器，其特征在于所述开口的阵列形成一个通过所述多层磁结构的一般为圆形的孔的阵列。

7．根据权利要求4的多层磁电阻检测器，其特征在于所述多层磁结构上被形成图案，以形成至少一个具有受到调节的宽度的带。

8．根据权利要求7的多层磁电阻检测器，其特征在于具有受到调节的宽度的所述带包括一个由连接起来的、一般为圆形的元件组成的阵列。

9．根据权利要求1的多层磁电阻检测器，其特征在于所述阵列的各个所述元件是一个一般为圆形的、具有10.0微米最大直径的元件。

10．根据权利要求1的多层磁电阻检测器，其特征在于所述阵列的各个所述元件具有一般为矩形的且其最大尺寸为10微米或更小。

11．根据权利要求1的多层磁电阻检测器，其特征在于所述铁磁材料包括一个从由铁、钴、镍、镍-铁和基于铁、钴、镍或镍-铁的铁磁合金组成的组中选出的材料。

12．根据权利要求11的多层磁电阻检测器，其特征在于所述铁磁材料包括镍-铁。

13．根据权利要求1的多层磁电阻检测器，其特征在于所述非磁层包括一种导电材料。

14．根据权利要求13的多层磁电阻检测器，其特征在于所述导电材料是从由银、金、铜和钌以及银、金、铜或钌的导电合金组成的组中选出的材料。

15．根据权利要求14的多层磁电阻检测器，其特征在于所述导电材料是银。

16．根据权利要求14的多层磁电阻检测器，其特征在于所述导电材料是铜。

17．根据权利要求1的多层磁电阻检测器，其特征在于所述导电层包括从由铬、钽、银、金、铜、铝和钌组成的组中选出的非磁性导电材料。

18．根据权利要求17的多层磁电阻检测器，其特征在于所述非磁性导电材料包括铬。