[发明专利]相位延迟装置无效
申请号: | 94118985.6 | 申请日: | 1994-11-29 |
公开(公告)号: | CN1059994C | 公开(公告)日: | 2000-12-27 |
发明(设计)人: | 邓永佳 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | H03K5/00 | 分类号: | H03K5/00;H03K7/08 |
代理公司: | 柳沈知识产权律师事务所 | 代理人: | 马莹 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 相位 延迟 装置 | ||
1.一种用于相位调制的相位延迟装置,包括:
一个数字模拟转换器(10),用于将一输入信号(input)转换成一个模拟电压信号并输出;
一个锯齿波产生器(20),用于将输入的参考脉冲(ref-time)转换成固定周期的锯齿波;
一个模拟比较器(30),其一个输入端连接所述锯齿波产生器(20)的输出端,另一个输入端连接所述数字模拟转换器(10)的输出端,用于将所述锯齿波产生器(20)输出的锯齿波与所述数字模拟转换器(10)输出的模拟电压信号相比较,以产生不同宽度的脉冲信号;
其特征在于,所述锯齿波产生器(20)包括:
用于产生一个参考电流(Iref)的参考电路(L1),它包含:第一P型场效应晶体管(PMOS1),其栅极(G1)与漏极(D1)相连接,用于产生固定电压,进而产生稳定的参考电流(Iref);以及,参考电阻(Rref),其一端接地,另一端连接第一P型场效应晶体管(PMOS1)的漏极(D1);
第二P型场效应晶体管(PMOS2),其栅极(G2)与参考电路(L1)中的第一P型场效应晶体管(PMOS1)的栅极(G1)连接,用于产生电流镜像,使其源极(D2)电流与参考电流(Iref)相同;
电容(C),其一端接地,另一端连接在充电开关(B1)的输出端和放电开关(B2)的输入端之间,用于对参考电流(Iref)作充放电;
充电开关(B1),其输入端连接第二P型场效应晶体管(PMOS2)的漏极(D2),其控制端接收参考脉冲(ref-time),用于使参考电流(Iref)对电容(C)充电,并使锯齿玻电位向右递增;以及
放电开关(B2),其输出端接地,其控制端连接反相器(I1)的输出端以接收被反相器(I1)反相的参考脉冲(ref-time),用于使电容(C)放电,并使锯齿波电位在固定周期内迅速下降。
2.如权利要求1所述的相位延迟装置,其中,所述模拟比较器(30)输出的脉冲信号的周期具有与所述参考脉冲的周期相同。
3.如权利要求1所述的相位延迟装置,其中,当第一P型场效应晶体管(PMOS1)的电压受制造过程影响而偏移时,通过调整所述参考电阻(Rref)来补偿。
4.如权利要求1所述的相位延迟装置,其中,所述数字模拟转换器(10)包括:
多个分压电阻(R1至Rn),用于对网络分压;
多个网络开关(S1至Sn),一对一连接所述多个分压电阻(R1至Rn)之间的节点(a1至an),用于决定各节点(a1至an)的电位;以及
一个解码器(Dec),由所述输入信号(input)控制,通过解码以选择一个所述开关,并配合所述分压电阻(R1至Rn)来决定所述模拟电压信号的输出电位。
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