[发明专利]具有直接转换功能的Ｘ射线探测器和探测方法及应用

权利要求书

1.探测X射线探测器其特征在于具有

-片状的晶态半绝缘半导体器件(1)用作光敏电阻(8)，此半导体器件选自GaAs，CdTe，CdSe，HgTe，CuInxGa_1-xSe_2-2yS_2y(1≥X，Y≥0)；

-在半导体器件(1)的相互对应的两个表面上有一对电极(7)，紧靠电极的下方各有一层薄的高掺杂区(2)；

-一个与电极(7)相连接的恒定电压源(9)用于在电极上施加恒定电压；

-一个测量装置用于探测流过光敏电阻(8)的光电流。

在此探测器在中，测量装置包括一个与光敏电阻(8)电容耦合的高阻测量仪器(14)，而且光敏电阻串联一个恒压源(9)和一个保护电阻(10)，保护电阻大小与光敏电阻的暗电阻同一数量级，电容(11，12)与恒定电压源(9)并联。

2.根据权利要求1所述探测器其特征在于，

在此探测器中，半绝缘半导体器件(1)有大于10⁷Ωcm的电阻率。

3.根据权利要求1或2所述探测器，其特征在于，此探测器在室温下具有大于10³的信噪比。

4.根据权利要求1或2所述探测器，其特征在于，所述半导体器件(1)是由未掺杂的单晶GaAs制成的。

5.根据权利要求1或2所述探测器其特征在于，

在此探测器中，在半导体器件(1)上的电极(7)包含一个由n⁺GaAs/Ge/Au/Ni/Au(2，3，4，5，6)组成的薄层序列。

6.一种X射线探测器的探测方法，其特征在于，

在此方法中，调整半导体器件(1)使其电极(7)与入射X射线平行，在电极上施加约8至30V的恒定电压，而且在半导体器件上产生的光电流由一个与光敏电阻(8)并联并经电容耦合的测量仪器(14)测定，所述X射线为斩波X射线，并且光敏电阻(8)在室温下工作。

7.探测器元件应用在计算机X射线断层照相仪的探测器阵列中。