[发明专利]测压装置无效

专利信息
申请号: 94119306.3 申请日: 1994-12-13
公开(公告)号: CN1055158C 公开(公告)日: 2000-08-02
发明(设计)人: 阿尔诺·多纳;诺贝特·吉尔;于尔根·朗格;福尔克尔·施罗贝尔;罗尔夫·沙德 申请(专利权)人: ENVEC测量和控制技术有限公司及两合公司
主分类号: G01L9/00 分类号: G01L9/00
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 孙征
地址: 联邦德*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 装置
【说明书】:

发明涉及带压力传感器的测压装置,压力传感器有一个支座和一个配属的其上贴有电阻应变片的膜片。

一段时间以来,本发明人已在交通运输中使用了一种测压装置,它包括:

—一个压力传感器,它有一个支座和一个配属的其上覆有电阻

  应变片的膜片,

—一个绝缘材料制的基座,上面有接线和一根注油接管,

—支座固定在此绝缘材料基座上,以及

—电阻应变片与这些接线电连接,

—一个金属件,它在第一横截面中有第一中心槽,在背对第一

  模截面的第二横截面中有第二中心槽,以及有一个将第一个

  槽和第二槽连通的孔,

—在上述第一横截面的边缘与绝缘材料的基座密封连接,以及

—上述第一槽装入支座和膜片,且与此槽不接触,

—一个装入第二槽中并与槽边闭合的金属隔膜,以及

—装在槽和孔中的加油装置。

这种公开领先使用的测压装置还需要作进一步的改进,使之能抗电磁辐射的干扰和因加油引起的充电影响,并具有良好的长期稳定性。

因此,为达到此目的,在本发明的测压装置中包括:

—一个压力传感器,它有一个支座和一个配属的其上覆有电阻

  应变片的膜片,

—一个绝缘材料制的基座,上面有接线和一根注油接管,

—支座固定在此绝缘材料基座上,以及

—电阻应变片与这些接线电连接,

—一个金属件,它在第一横截面中有第一中心槽,在背对第一

  横截面的第二横截面中有第二中心槽,以及有一个将第一槽

  和第二槽连通的孔,

—在上述第一横截面的边缘与绝缘材料的基座密封连接,以及

—上述第一槽中装入支座和膜片,并与此槽不接触,

—一个带孔的导电薄膜,

—此薄膜尽可能接近电阻应变片地装入第一槽中,薄膜复盖着

  电阻应变片但不与之接触,薄膜与线路零点连接,

—一个装入第二槽并与槽的边缘闭合的金属隔膜,以及

—一个装在槽和孔中的加油装置。

按本发明的最佳改进设计,设有一根穿过绝缘材料的基座和穿过支座不透油的贯通测压管。

按另一种最佳改进设计,设有一个在基座一侧外壳状金属件的延长段。

这些改进设计还可作如下改进,即,沿延长段的内侧设另一个导电薄膜,它与线路零点连接。

下面借助于附图进一步说明本发明,附图示意表示了本发明实施例,在这些附图中,相同的零件用同样的符号表示。

图1表示测压装置在对压力传感器的功能起重要作用的部分

   透视分解图;

图2一个制成的测压装置的剖视图;以及

图3按图2所示测压装置改进设计的剖视图。

图1表示了一种按本发明的测压装置中对压力传感器功能起重要作用的部分透视分解图。压力传感器包括一个膜片10和一个支座12,膜片10在底衬10’中央,底衬10’上在图的下方设有一个槽,所以膜片10成为底衬10’的一个较薄的中心区。膜片10上覆有电阻应变片11,它通过导带与设在膜片边缘的接线片连接。

膜片10例如用玻璃或硅制成。电阻应变片11由多晶硅即所谓多硅制成,在玻璃膜片的情况下则直接沉积,而在硅膜片的情况下则沉积在其上面存在的SiO2层上。支座12例如用玻璃或硅制成。

绝缘材料基座13中设有接线2、3、4、5、6、7、8和一个加油接管1,在将油注入后将此接管密闭,可参见图2和3中的堵头1’。此外,绝缘材料的基座13设计为如同由半导体技术中已知的所谓“70-8”外壳的基座那样。

若测压装置设计为压差传感器,则在绝缘材料基座13中还设有一根测压管9,并在支座12中设中心孔14,测压管9在此孔中延伸。

支座12固定在绝缘材料基座13的中央。由阻应变片11与绝缘材料基座13中的接线2至8,例如借助于热压粘结线电连接。

底衬10’与支座12例如沿两者的周边密封固定,以构成一个腔室,所以膜片10可在压力作用下弯曲,从而在电阻应变片中引起电阻发生变化。

在从支座12所在侧伸出绝缘材料基座13的接线2至8上,借助于和它们相配的孔2’、3’、4’、5’、6’、7’、8’,装上一个绝缘材料件15,它有一个与支座12相应的中心孔16。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于ENVEC测量和控制技术有限公司及两合公司,未经ENVEC测量和控制技术有限公司及两合公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/94119306.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top