[发明专利]制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括下列步骤：

在衬底的绝缘表面上形成非晶硅膜；

安排一种促进硅结晶化的催化剂元素或含所说催化剂元素的化合物与该非晶硅膜相接触；

在所说催化剂元素或所说化合物与所说的硅膜保持接触的情况下，通过在400-600℃的温度加热使所说的非晶硅膜结晶化；以及然后

通过用功率密度为150-400J/cm²的激光或包括至少红外波长区的灯光辐照所说的硅膜，改善所说硅膜的结晶性。

2.权利要求1的方法，其中所说的催化剂元素是至少一种选自Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、In、Sn、P、As及Sb的元素。

3.权利要求1的方法，其中所说的催化剂元素是至少一种选自VIII族元素、IIIb族元素、IVb族元素及Vb族元素的元素。

4.权利要求1的方法，其中所述的催化剂元素被溶解或分散在溶剂中，并通过加热使所说的非晶硅膜结晶化。

5.权利要求4的方法，其中所说的催化剂元素是至少一种选自Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、In、Sn、P、As及Sb的元素。

6.权利要求5的方法，其中所说的催化剂元素是至少一种选自VIII族元素、IIIb族元素、IVb族元素和Vb族元素的元素。

7.权利要求4的方法，其中所说的溶剂是一种极性溶剂。

8.权利要求7的方法，其中所说的极性溶剂选自水、醇、酸、氨及其组合物。

9.权利要求4的方法，其中所说的催化剂元素是镍。

10.权利要求9的方法，其中所说的镍是以选自溴化镍、乙酸镍、草酸镍、碳酸镍、氯化镍、碘化镍、硝酸镍、硫酸镍、甲酸镍、乙酰丙酮镍、4-环己基丁酸镍、氧化镍和氢氧化镍的镍化合物及其组合物形式提供的。

11.权利要求4的方法，其中所说的溶剂是一种非极性溶剂并且所述的催化剂元素是镍。

12.权利要求11的方法，其中所说的非极性溶剂选自苯、甲苯、二甲苯、四氯化碳、三氯甲烷、乙醚及其组合物。

13.权利要求11的方法，其中所说的镍是以选自乙酰丙酮镍、4-环己基丁酸镍、氧化镍、氢氧化镍和2-乙基已酸镍的镍化合物及其组合物的形式提供的。

14.权利要求1的方法，其中所述的催化剂元素溶解或分散在与一种界面活性剂混合的溶液中，并且通过加热使所说的非晶硅膜结晶化。

15.权利要求1的方法，其中包括下列步骤：

安排一种含催化剂元素或其化合物的溶液与非晶硅膜的一个选定部位接触；

通过加热，在所说催化剂元素或所说化合物与所说的部位相接触的情况下，使所说的非晶硅膜结晶化，其中晶体从非晶硅膜的所说部位横向地向与之相邻的区域生长；以及

用所述的激光或灯光辐照所说的硅膜的至少一个部位，改善所说硅膜的结晶性。

16.权利要求15的方法，其中所说的灯光是由脉冲管发出的。

17.权利要求15的方法，还包括下述步骤：在晶体沿横向生长的硅膜所说区域内形成所说器件的有源区。

18.权利要求15的方法，其中硅膜的所说区域包含所说的催化剂元素，其浓度在1×10¹⁸at/cm³～1×10¹⁹at/cm³的范围内。