[发明专利]磁存储装置

权利要求书

1.一种磁存储装置，包括：一个基本上无挠性和磁记录介质，一个上面固定有读/写元件的磁头滑块和分布在磁记录介质表面上的润滑剂；其特征在于，所述的润滑剂是粘度同剪切速无关几乎显一定值的牛顿特性范围内的液体，或者是有效粘度随着剪切速度增加而增加的液体，所述的磁头滑块间歇地或连续地与该液体润滑剂接触并在其上移动，，并与磁记录介质之间保持一个间隙，执行读/写操作，以及包括一个使浮起高度即使在移动速度变化的情况下也能保持不变的装置，所述的浮起高度是所述间隙的距离。

2.如权利要求1所述的磁存储装置，其特征在于所述的磁头滑块具有用于在磁盘表面上移动的移动轨道。

3.如权利要求2所述的磁存储装置，其特征在于，所述的读/写元件配置在所述磁头滑块的移动方向的略后缘上。

4.如权利要求3所述的磁存储装置，其特征在于所述的读写元件形成在用于固定所述读/写元件的元件膜内部，该元件膜的、同所述磁记录介质相对的面由具有曲率的曲面形成的元件膜移动面构成，所述的读/写元件固定在所述元件移动面的一个点上，所述的点基本上最靠近所述磁记录介质，一个形成在所述的元件膜移动面同所述磁记录介质之间的在滑块移动方向上的最小间隙分布包括一个区域，在这个区域上所述的间隙从读/写元件处朝着滑块移动方向后侧扩展。

5.如权利要求3所述的磁存储装置，其特征在于，所述的读/写元件形成在用于固定这个读/写元件的元件膜内部，在元件膜的、滑块移动方向的后面形成保护膜由所述元件膜和所述保护膜构成的后端膜的、同所述磁记录介质相对的面由具有曲率的曲面形成的后端膜移动面构成，所述的读/写元件固定在所述的后端膜移动面的一点上，所述的点大至上最靠近所述的磁记录介质，一个形成在所述后端膜移动面和所述磁记录介质之间的在所述滑块运动方向上的最小间隙分布包括一个区域，在所述的区域上所述的间隙从读/写元件处朝着滑块移动方向后侧扩展。

6.如权利要求1所述的磁存装置，其特征在于，所述的磁头滑块移动面的至少一部分是基本上成圆柱形的。

7.如权利要求6所述的磁存储器，其特征在于，所述的读/写元件配置在所述磁头滑块的移动方向的略后边缘上。

8.如权利要求7所述的磁存储装置，其特征在于，所述的读/写元件形成在用于固定所述读写元件的元件膜内部，该元件膜的、同所述磁记录介质相对的面由具有曲率的曲面形成的元件膜移动面构成，所述的读/写元件固定在所述元件膜移动面的一个点上，这个点基本上最靠近所述的磁记录介质，一个形成在所述元件膜运动表面和所述的磁记录介质之间的在滑块移动方向上的最小间隙分布包括一个区域，在这个区域上所述的间隙从读/写元件处朝着滑块移动方向后侧扩展。

9.如权利要求7所述的磁存储装置，其特征在于，所述的读/写元件形成在用于固定所述读/写元件的元件膜内部，在无件膜的、滑块移动方向的后面形成保护膜，由所述的元件膜和所述的保护膜构成的后端膜的、同所述磁记录介质相对面由具有曲率的曲面形成的后端膜移动面构成，所述的读写元件固定在所述后端膜移动面的一个点上，，这个点基本上最靠近所述的磁记录介质，在滑块移动方向形成在所述的后端膜移动面同所述磁记录介质之间的最小间隙分布包括一个区域，在这个区域上，这个间隙从读/写元件处朝着滑块移动方向后侧扩展。

10.如权利要求1所述的磁存储装置，其特征在于，所述的读/写元件至少包括一个利用磁阻效应的读元件。

11.如权利要求1所述的磁存储装置，其特征在于在所述读/写元件同所述磁记录介质的固体保护膜之间的距离大于10nm而小于80nm。

12.如权利要求1所述的磁存储装置，其特征在于所述的磁头滑块的材质是ZrO₂类或Al₂O₃—TiC类等的烧结材料。

13.如权利要求1所述的磁存储装置，其特征在于至少在磁头滑块的与磁记录介质相对的面上，设有至少一层保护膜，该保护膜由不同于所述滑块材料的材料制成。