[发明专利]半导体存储器的多位测试电路无效
申请号: | 94120091.4 | 申请日: | 1994-11-17 |
公开(公告)号: | CN1043928C | 公开(公告)日: | 1999-06-30 |
发明(设计)人: | 莘忠善 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G01R31/28 | 分类号: | G01R31/28;G11C29/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 萧掬昌,王忠忠 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储器 测试 电路 | ||
1.一种半导体存储器的多位测试电路,包括:
多条位线,与多个存储单元相连接;
一个多路转换器,用于同时向多条数据总线输出具有相同逻辑电平的数据;
一个第一比较器,用于判定由所述数据总线输入的所述数据是否具有相同的逻辑电平;
一个测试控制器,用于利用组合的测试启动信号和读/写信号使所述多路转换器和所述第一比较器互补地起作用;
多条数据输入/输出线,与所述位线连接,并经过写通道和读通道共同连接到所述各数据总线其中之一上;
一个第二比较器,用于接收各所述数据输入/输出线的逻辑电平,该第二比较器在这些逻辑电平彼此相同时输出数据1,而在这些逻辑电平彼此不同时输出数据0;以及
一个数据输入/输出控制器,用于按照第一种操作方式将所述各数据输入/输出线的所述写通道和所述读通道中的一个通道连通到所述数据总线上,以及用于按照第二种操作方式将所述第二比较器的输出传送到数据总线上。
2.如权利要求1所述的多位测试电路,其特征在于,所述第二种操作方式是按位数为第一种操作方式中的位数的2倍的方式进行输入/输出操作。
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