[发明专利]晶体生长方法及用该晶体生长方法制备的半导体器件无效
| 申请号： | 94120719.6 | 申请日： | 1994-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1109111A | 公开（公告）日： | 1995-09-27 |
| 发明（设计）人： | 大川和宏;三露常男 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | C30B25/02 | 分类号： | C30B25/02;C30B29/46 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨丽琴 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体生长 方法 制备 半导体器件 | ||
1、一种晶体生长方法，其包括下列步骤：
将三种材料分别填入各自的喷射室，所述三种材料中，一种材料选自元素Mg、化合物MgS和MgSe，另两种是化合物ZnSe和ZnS，和
以控制喷射室温度和分子束强度的方式，在加热的基体上生长Zn1-YMgYSzSe1-z单晶薄膜(0＜Y＜1和0＜Z＜1)。
2、一种晶体生长方法，其包括下列步骤：
将两种材料分别填入各自的喷射室，所述两种材料中，一种材料选自元素Mg、化合物MgS和MgSe，另一种是合金ZnSx′Se1-x′（0＜X′＜1），和
通过控制喷射室温度和分子束强度，在加热的基体上生长Zn1-ZMgYSZSe1-Z（0＜Y＜1和0＜Z＜1）单晶薄膜。
3、一种晶体生长方法，其包括下列步骤：
将Zn1-Y，MgY，SZ，Se1-Z（0＜Y′＜1和0＜Z′＜1）合金填入喷射室，和
通过控制喷射室温度和分子束强度，在加热的基体上生长
Zn1-YMgYSZSe1-Z（0＜Y＜1和0＜Z＜1）单晶薄膜。
4、根据权利要求3的方法，其中将Zn1-Y，MgY，SZ，Se1-Z，（0.02≤Y′≤0.08和0.30≤Z′≤0.60）多晶合金填入上述喷射室，在加热的基体上生长Zn1-YMgYSZSe1-Z（0.05≤Y≤0.15和0.10≤Z≤0.25）单晶薄膜。
5、一种晶体生长方法，其包括下列步骤：
将化合物ZnSe和ZnS分别填入各自的喷射室，通过控制喷射室温度及分子束强度，在加热的基体上生长ZnSXSe1-X（0＜X＜1）单晶薄膜。
6、一种晶体生长方法，其包括下列步骤：
将ZnSX，Se1-X，（0＜X′＜1）合金填入喷射室，和
通过控制喷射室温度及分子束强度，在加热的基体上生长ZnSXSe1-X（0＜X＜1）单晶薄膜。
7、根据权利要求6的方法，其中将ZnSX，Se1-X，（0.08≤X′≤0.40）多晶合金填入喷射室，在加热的基体上生长ZnSXSe1-X（0.03≤X≤0.10）单晶薄膜。
8、一种晶体生长方法，其包括下列步骤：
将两种材料分别填入各自喷射室，所述两种材料中，一种材料选自元素Cd和化合物CdSe，另一种是化合物ZnSe，
通过控制喷射室温度及分子束强度，在加热的基体上生长
ZnXCdSe1-X（0＜X＜1）单晶薄膜。
9、一种晶体生长方法，其包括下列步骤：
将Zn1-W，CdW，Se（O＜W'＜1）合金填入喷射室，和
通过控制喷射室温度及分子束强度，在加热的基体上生长Zn1-WCdWSe（0＜W＜1）单晶薄膜。
10、根据权利要求1-9中任何一项所述的方法，其中基体温度范围定在100℃和400℃之间。
11、一种制备半导体器件的方法，其包括按照权利要求1-9中任何一项所述晶体生长方法形成单晶薄膜的步骤。
12、一种制备半导体器件的方法，其包括下列步骤：
利用权利要求8或9所述的晶体生长方法，形成由Zn1-WCdWSe（0＜W＜1）单晶薄膜构成的阱层;和
利用权利要求5或6所述的晶体生长方法，形成由ZnSXSe1-X（0＜X＜1）单晶薄膜构成的阻挡层，从而形成多重量子阱活性层。
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