[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括沟道区，在具有绝缘表面的基片上形成该器件，其特征在于，

所述沟道区用结晶性硅膜形成，该结晶性硅膜位于用以促进非晶硅膜晶化的催化元素的狭缝状导入区域附近，

晶化区域的结晶方向与平行于基片表面的一个方向一致，以及

所述沟道区配置在以预定退火温度从该导入区域起的结晶性硅膜的结晶生长范围内。

2.根据权利要求1的半导体器件，其特征在于，该沟道区配置在从导入区域起120μm以内的位置。

3.根据权利要求1的半导体器件，其特征在于，该沟道区配置在结晶性硅膜具有一维结晶方向的范围内，而且从一维结晶生长方向起该结晶膜的分叉和弯曲数在2以下的范围内。

4.根据权利要求3的半导体器件，其特征在于，该沟道区配置在从导入区域起60μm以内的位置。

5.根据权利要求3的半导体器件，其特征在于，该沟道区配置在从一维结晶生长方向起结晶膜的分叉和弯曲数在1以下的范围内。

6.根据权利要求5的半导体器件，其特征在于，该沟道区配置在从导入区域起30μm以内的位置。

7.根据权利要求1的半导体器件，其特征在于，该沟道区与在导入区域长边方向的导入区域侧边之间的距离在预定退火温度下从导入区域起的晶化范围内。

8.根据权利要求7的半导体器件，其特征在于，该沟道区与在导入区域长边方向的导入区域侧边之间的距离在30μm以上。

9.根据权利要求1的半导体器件，其特征在于，该导入区域长边方向的长度设定在结晶性硅膜的结晶生长范围达到饱和时的值以上。

10.根据权利要求9的半导体器件，其特征在于，该导入区域长边方向的长度在120μm以上。

11.根据权利要求1的半导体器件，其特征在于，该导入区域短边方向的宽度设定在结晶硅膜的结晶生长范围达到饱和时的值以上。

12.根据权利要求11的半导体器件，其特征在于，该导入区域短边方向的宽度在5μm以上。

13.根据权利要求1的半导体器件，包括多个沟道区，从而形成多个薄膜晶体管。

14.根据权利要求13的半导体器件，其特征在于，多个薄膜晶体管配置在该导入区域的两侧。

15.根据权利要求1的半导体器件，其特征在于，还包括使结晶性硅膜暴露于激光下，或对其进行快速热退火处理，以提高该结晶性硅膜结晶度的步骤。

16.根据权利要求1半导体器件，其特征在于，该催化元素选自由Ni、Co、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、In、Sn、Al、P、As及Sb构成的组的至少一种元素。

17.一种半导体器件的制造方法，其特征在于包括下列步骤：

(a)在具有绝缘表面的基片上形成非晶硅膜；

(b)将促进晶化的催化元素选择性地导入该非晶硅膜的狭缝状导入区域；

(c)热处理该非晶硅膜，使该非晶硅膜区域的周围部分在与基片表面平行的方向发生结晶生长，从而得到结晶性硅膜；以及

(d)用该结晶性硅膜，形成薄膜晶体管，

其中，该薄膜晶体管是这样配置的，使其沟道区位于在预定退火温度下，从该导入区域起结晶生长范围内。

18.根据权利要求17的方法，其特征在于，该沟道区配置在从导入区域起120μm以内的位置。

19.根据权利要求17的方法，其特征在于，该沟道区配置在该结晶性硅膜具有单一方向的结晶生长方向，且从一维结晶生长方向起该结晶性硅膜的分叉和弯曲数在2以下的范围内。

20.根据权利要求19的方法，其特征在于，该沟道区配置在从导入区域起60μm以内的位置上。

21.根据权利要求19的方法，其特征在于，该沟道区在从该一维结晶生长方向起分叉和弯曲数在1以下的范围内。

22.根据权利要求21的方法，其特征在于，该沟道区配置在从导入区域起30μm以内的位置上。