[发明专利]在多层图形间测量重叠误差的重叠测量标记和方法无效
| 申请号： | 94120777.3 | 申请日： | 1994-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN1055787C | 公开（公告）日： | 2000-08-23 |
| 发明（设计）人： | 裵相万 | 申请（专利权）人： | 现代电子产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;G03F9/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 萧掬昌,王忠忠 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多层 图形 测量 重叠 误差 标记 方法 | ||
1.一种重叠测量标记，包括：
在划片线部位的Y轴上形成的第一重叠测量图形，所说第一重叠测量图形包括两个相互平行且隔开的图形；
在所说划片线部位的X轴上形成的第二重叠测量图形，所说第二重叠测量图形包括两个相互平行且隔开的图形，以使所述第一和第二重叠图形构成一矩形外盒；以及
在所说划片线部位形成的第三重叠测量图形，所说第三重叠测量图形形成在由所说第一和第二重叠测量图形形成的矩形外盒的内侧。
2.如权利要求1的标记，其中在所说第一重叠测量图形靠近所说第二重叠测量图形的各部分相距0.5-2μm且其坡度在0°-90°角变化。
3.如权利要求1的标记，其中在所说第一重叠测量图形靠近所说第二重叠测量图形的各部分相距0.5-2μm且其坡度为45°角。
4.如权利要求1的标记，其中所说第一、第二和第三重叠测量图形中任一个用光刻胶形成，而余下的测量图形用导电材料形成。
5.一种在半导体器件中的多层图形间测量重叠误差的方法，包括下述步骤：
根据形成在一成品上的第一掩模图形和第三掩模图形间的X和Y轴上的容限形成第一掩模，用其在划片线的第一选择部分上形成第一重叠测量图形，所说第一重叠测量图形包括两个相互平行且隔开的图形；
根据在所说第二掩模图形和第三掩模图形间的X和Y轴上的容限形成第二掩模，用其在所述划片线的第二选择部分上形成不重叠于所说第一重叠测量图形的第二重叠测量图形，所说第二重叠测量图形包括两个相互平行且隔开的图形；
以用来形成所说第三掩模图形的第三掩模在所说划片线部位上形成第三重叠测量图形，所说第三重叠测量图形形成在所说第一和第二重叠测量图形的内侧中心；和
测量所说第一重叠测量图形和所说第三重叠测量图形之间的距离，以及在所说第二重叠测量图形和所说第三重叠测量图形之间的距离。
6.如权利要求5的方法，其中在所说第一重叠测量图形靠近所说第二重叠测量图形的各部分相距0.5-2μm且其坡度在0°-90°角变化。
7.如权利要求5的方法，其中在所说第一重叠测量图形靠近所说第二重叠测量图形的各部分相距0.5-2μm且其坡度为45°角。
8.如权利要求5的方法，其中所说第一、第二和第三重叠测量图形中任一个用光刻胶形成，而余下的测量图形用导电材料形成。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于现代电子产业株式会社，未经现代电子产业株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/94120777.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
