[发明专利]表面改性的二氧化硅和用其使水性体系增稠的方法

权利要求书

1、一种用于水性体系的表面改性的二氧化硅，包括带有以气相法二氧化硅重量计为0.5％-10％的一种物质的气相法二氧化硅，所述的物质选自：双官能的环氧乙烷/环氧丙烷嵌段共聚物；四官能的环氧乙烷/环氧丙烷嵌段共聚物；季铵盐；多乙氧基化的季铵盐；叔烷基胺及其盐衍生物；或胺乙氧基化物及其盐衍生物，其中用所述的物质处理所述的气相化二氧化硅，来得到表面改性的二氧化硅。

2、根据权利要求1的表面改性的二氧化硅，其中所述的气相法二氧化硅的BET表面积为50m²/g-400m²/g，其松密度为10lbs/ft³或更低。

3、根据权利要求1的表面改性的二氧化硅，其中所述的季按盐是用下列通式表示的二烷基二甲基铵盐：式中R是至少含有6个C原子的烷基；X是选自卤素、硝酸根、碳酸根、磷酸根、氢氧根、羧酸根、烷基硫酸根、烷基或芳基磺酸根、磷酸根或磷酸根的离子。

4、根据权利要求1的表面改性的二氧化硅，其中所述的多乙氧基化的季铵盐是用下列通式表示的单烷基单甲基二乙氧基化的铵盐：式中R是至少含有6个C原子的烷基；(X+Y)的平均值为2-15；X是选自卤素、硝酸根、碳酸根、磷酸根、氢氧根、羧酸根、烷基硫酸根、烷基或芳基磺酸根、磷酸根或膦酸根的离子。

5、根据权利要求1的表面改性的二氧化硅，其中所述的胺乙氧基化物是用下列通式表示的：式中R是至少含有6个C原子的烷基；(X+Y)的平均值为2-50。

6、根据权利要求1的表面改性的二氧化硅，其中所述的胺乙氧基化物是用下列通式表示的盐衍生物：式中R是至少含有6个C原子的烷基；(X+Y)的平均数为2-50；X是选自卤素、硝酸根、碳酸根、磷酸根、氢氧根、羧酸根、烷基硫酸根、烷基或芳基磺酸根、磷酸根或膦酸根的离子。

7、根据权利要求1的表面改性的二氧化硅，其中所述的叔烷基胺是用下列通式表示的单烷基二甲基胺：式中R是至少含有6个C原子的烷基。

8、根据权利要求1的表面改性的二氧化硅，其中所述的叔烷基胺基是用下列通式表示的单烷基二甲基胺盐：式中R是至少含有6个C原子的烷基；X是选自卤素、硝酸根、碳酸根、磷酸根、氢氧根、羧酸根、烷基硫酸根、烷基或芳基磺酸根、磷酸根或膦酸根的离子。

9、根据权利要求1的表面改性的二氧化硅，其中所述的季铵盐是用下列通式表示的二季二胺：式中R是至少含有6个C原子的烷基；R′是烷基、羟基烷基或烷氧基烷基；X是选自卤素、硝酸根、碳酸根、磷酸根、氢氧根、羧酸根、烷基硫酸根、烷基或芳基磺酸根、磷酸根或膦酸根的离子。

10、根据权利要求1的表面改性的二氧化硅，其中所述的处理是热处理。

11、使水性体系增稠的方法，包括向其中加入增稠有效量的气相法二氧化硅，该二氧化硅用以气相法二氧化硅重量计为0.5％-10％的物质处理，所述的物质选自双官能的环氧乙烷/环氧丙烷嵌段共聚物，四官能的环氧乙烷/环氧丙烷嵌段共聚物，季铵盐，多乙氧基化的季铵盐，叔烷基胺及其盐衍生物，以及胺乙氧基化物及其盐衍生物。

12、根据权利要求11的方法，其中所述的气相法二氧化硅具有的BET表面积约50m²/g到400m²/g，松密度为10lbs/ft³或更少。