[发明专利]制造氧化铟/氧化锡烧结体的方法和用其制造的制品无效
申请号: | 94191538.7 | 申请日: | 1994-02-04 |
公开(公告)号: | CN1119850A | 公开(公告)日: | 1996-04-03 |
发明(设计)人: | G·兰库;J·L·布里顿 | 申请(专利权)人: | 维苏威乌斯坩埚公司 |
主分类号: | C04B35/00 | 分类号: | C04B35/00;C23C14/34 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 卢新华,魏金玺 |
地址: | 美国特*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 制造 氧化 烧结 方法 制品 | ||
1.一种制造高均一性的高密度ITO烧结体的方法,包括:
制备一种浆料,其固体成分是由In2O3、SnO2和除铟和锡的氧化物以外的介于约0.01-0.25%(按重量计)的氧化物的细分混合物组成,所述氧化物相对铟锡氧化物来说起烧结剂作用;
粉浆浇注所述浆料成坯体,其密度在约4.2-4.8g/cm3之间,和
将所述末烧结体在氧气气氛中加热至烧结温度。
2.权利要求1的方法,其中所述坯体被加热4-20小时。
3.权利要求1的方法,其中所述氧化物是能形成玻璃相的烧结剂。
4.权利要求3的方法,其中所述氧化物是选自铝、钙、钇、铈、镁和硅至少之一种的氧化物。
5.权利要求1的方法,其中所述氧化物是SiO2。
6.权利要求1的方法,其中所述坯体被加热至约1500-1600℃间的温度。
7.权利要求1的方法,其中在加热过程中为了造成所述氧气气氛而在坯体上面连续提供氧气流。
8.权利要求7的方法,其中所述气流的流速足以能在所述坯体周围避免产生还原性气氛,但不足以引起In2O3和SnO2的显著离解。
9.权利要求7的方法,其中所述氧气流是通过把所述坯体密闭在窑炉内并通过在稍高于大气压的压力下连续把氧气导入窑炉内而提供的。
10.权利要求1的方法,其中浆料的pH被调节至约7.5-10之间,以利于细分的固体成分完全而均匀的混合。
11.权利要求1的方法,其中所述固体浆料成分是由约99-50重量%的In2O3和1-50重量%的SnO2组成。
12.权利要求1的方法,其中细分的In2O3、SnO2和烧结剂氧化物的平均粒径为1微米或更小。
13.权利要求1的方法,其中细分的In2O3、SnO2和烧结剂氧化物的单位重量的面积在约5和15m2/g之间变动。
14.权利要求1的方法,其中浆料的pH被调节在约3.0和4.0之间,以利于细分的SnO2和细分的In2O3完全和均匀的混合。
15.一种适于制造高均一性的高密度ITO烧结体的方法包括:
制备一种浆料,它的固体成分是由约99-50重量%的In2O3和1-50重量%的SnO2,以及约0.05-0.25重量%能形成玻璃相的烧结剂的细分混合物组成的,所述烧结剂是除铟或锡氧化物以外的氧化物;
把所述浆料粉浆浇注成密度在约4.2-4.8g/cm3之间的坯体;和
在所述坯体上方保持足够的氧气流,以避免在所述烧结体的周围形成还原性气氛,但又不足以引起In2O3和SnO2显著离解的同时,为了烧结所述坯体而将所述坯体加热至约1500-1600℃温度之间。
16.权利要求15的方法,其中所述浆料的固体成分是由约94-60重量%的In2O3和6-40重量%的SnO2以及约0.05-0.25重量%选自铝、钙、钇、铈、镁和硅至少之一种的氧化物的细分混合物组成。
17.权利要求15的方法,其中细分的In2O3、SnO2和烧结剂氧化物的平均粒径在约0.4和0.8微米之间。
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