[发明专利]在液体中处理半导体片的方法和装置

权利要求书

1.一种从半导体片上除去光敏抗蚀剂的方法，该方法包括在1℃～15℃的温度下使半导体片与臭氧的水溶液相接触。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于上述温度为5℃～9℃。

3.如权利要求1所述的方法，该方法包括：

将半导体片放置在盛有去离子水的槽中；

用足够的时间向去离子水中扩散臭氧，以将半导体片上的光敏抗蚀剂氧化成溶性气体；

将去离子水的温度维持在1℃～15℃的范围内；以及

用去离子水漂洗半导体片。

4.如权利要求3所述的方法，进一步还包括从槽中排出不溶性气体。

5.如权利要求3所述的方法，其特征在于通过处理槽中每一半导体片的表面均匀扩散臭氧气体。

6.如权利要求3所述的方法，进一步还包括在用去离子水漂洗之后，再用温度为65℃～85℃的热去离子水漂洗半导体片。

7.如权利要求3所述的方法，其特征在于用1～15分钟使臭氧扩散到去离子水中。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于漂洗半导体片1～5分钟。

9.如权利要求3所述的方法，其特征在于去离子水的温度为5℃～9℃。

10.如权利要求1所述的方法，该方法包括：

将半导体片放置在盛有去离子水的槽中；

在去离子水中扩散臭氧；当臭氧被去离子水吸收和形成的气泡穿过去离子水时，与扩散臭氧同时地用紫外光照射臭氧，使之生成能将有机物质氧化成不溶性气体的氧自由基和氧分子；

将去离子水的温度维持在1～15℃的温度范围内；以及用去离子水漂洗半导体片.

11.如权利要求10所述的方法，其特征在于从槽中排出不溶性气体。

12.一种用于液体处理半导体片的处理槽，该槽带有多个侧壁和一个底部，该槽还包括：

与槽相连通的向槽提供液体的部件；

在处理槽内支承至少一片半导体片与液体相接触的支承部件；

与槽相连通的用于向槽内通入气体的部件；以及

在槽中用于扩散气体的部件，使液体吸收气体并与槽中放置的每一片半导体片的表面相接触，

上述扩散气体的部件有一个带有可渗透部件和不可渗透部件的复合元件，上述可渗透部件有一个顶部和底部，一个在其中心部份限定了一个敞开区域的部件，以及一个位于可渗透部件的顶部，在可渗透部件的外表面与限定敞开区域的部件之间限定一沟槽的部件，上述不可渗透部件有一个在其中心部分限定一敞开区域的部件，该部件与在可渗透部件中心部分限定一敞开区域的部件相对应，将可渗透部件与不可渗透部件接合在一起，使沟槽在可渗透部件的顶部敞开，并用不可渗透部件遮盖住，复合元件的设置应使得可渗透部件的底部与槽的底部相连。

13.如权利要求12所述的处理槽，其特征在于可渗透部件和不可渗透部件含有聚四氟乙烯和全氟烷氧基乙烯醚的混合物。

14.如权利要求12所述的处理槽，其特征在于该处理槽有一个第一侧壁和一个第二侧壁，第一侧壁在槽的顶部是垂直部分，在槽的底部是向里渐缩的部分，该渐缩的部分比垂直部分长，第二侧壁在槽的顶部是一垂直部分，在槽的底部是一向里渐缩的部分，该渐缩部分比垂直部分短。

15.如权利要求14所述的处理槽，其特征在于进一步在槽第一侧壁的向里渐缩部分上有一个大功率声波发射器。

16.如权利要求15所述的处理槽，其特征在于进一步在槽内侧在扩散气体的部件之上还有一紫外光源。

17.如权利要求16所述的处理槽，其特征在于通入气体的部件设置在扩散气体的部件的下面，以使气体向上喷入扩散气体的部件。

18.如权利要求17所述的处理槽，其特征在于向槽提供液体的部件使液体沿第一方向流动，向槽中喷入气体的部件沿第二方向喷入气体，气体与液体逆流流动。

19.如权利要求12所述的处理槽，其特征在于向槽中喷入气体的部件要么单独喷入一种气体，要么与一种或多种不同的气体一起喷入。