[发明专利]由大小均一的金属微珠组成的图形阵列无效
申请号: | 94193577.9 | 申请日: | 1994-08-24 |
公开(公告)号: | CN1132570A | 公开(公告)日: | 1996-10-02 |
发明(设计)人: | D·C·科斯肯梅基;C·D·卡尔霍恩 | 申请(专利权)人: | 美国3M公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48 |
代理公司: | 上海专利商标事务所 | 代理人: | 林蕴和 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 大小 均一 金属 组成 图形 阵列 | ||
1.一种在衬底上形成微珠阵列的方法,其特征在于它包括如下步骤:
a)在衬底(12)上形成一金属层(14),所述的金属层是充分分隔为许多个金属区域(20),以便金属区域的珠化;
b)将所述的金属区域(14)加热至足以使金属区域(20)熔化,并使金属区域(20)珠化成不连续的微珠(22)的温度,由此在衬底上形成不连续的微珠(22)阵列。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,金属区域形成的方法是将所述的金属层淀积在所述的衬底上,然后将所述的金属层分隔成许多金属区域。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,将所述的金属层淀积到所述的衬底上时,已是充分分隔的金属区域。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的金属区域系由相交的两组平行槽(16)和(18)所界定,这样所述的金属区域表面为平行四边形。
5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的金属区域有三个侧面。
6.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的金属层厚度为0.2—10微米。
7.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的金属层厚度为0.2—2微米。
8.如权利要求1所述的方法,其特征在于,它还包括使所述金属层与有效量助熔剂接触的步骤,以便于所述的金属区域珠化。
9.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述金属微珠的平均密度为600—6,000,000珠/平方厘米。
10.如权利要求9所述的方法,其特征在于,所述金属微珠的平均密度为40,000—6,000,000珠/平方厘米。
11.如权利要求10所述的方法,其特征在于,所述金属微珠的平均密度为80,000—6,000,000珠/平方厘米。
12.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的金属微珠阵列是有规阵列。
13.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的金属区域的表面积大小相同,这样形成的有规阵列中微珠的大小相同。
14.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述的金属区域有2种或多种的均一尺寸。
15.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述微珠的直径为0.2—100微米。
16.如权利要求15所述的方法,其特征在于,所述微珠的直径为1—50微米。
17.如权利要求1所述的方法,其特征在于,还包括将所述金属微珠阵列转移到另一个衬底上的步骤。
18.如权利要求17所述的方法,其特征在于,在所述的另一衬底上加有一层粘接剂层,金属微珠阵列是转移到所述粘接剂层中的。
19.一种衬底上的金属微珠阵列,其特征在于,它是排列紧密的金属微珠具有规阵列,所述金属微珠具有球形部分和平坦部分,金属微珠的平均密度为600—6,000,000珠/平方厘米。
20.如权利要求19所述的微珠阵列,其特征在于,所述微珠的平均密度为40,000—6,000,000珠/平方厘米。
21.如权利要求20所述的微珠阵列,其特征在于,所述微珠的平均密度为80,000—6,000,000珠/平方厘米。
22.如权利要求19所述的微珠阵列,其特征在于,在所述金属微珠上还涂有粘接剂层。
23.一种颗粒群,其特征在于,所述的颗粒是直径和形状有规分布的金属微珠(22),所述的形状部分是球形的(25),部分是平坦的,所述直径小于100微米。
24.如权利要求23所述的颗粒群,其特征在于,所述的微珠分散在液体中。
25.如权利要求24所述的颗粒群,其特征在于,所述液体是一粘接剂组合物。
26.如权利要求23所述的颗粒群,其特征在于,所述微珠的直径为0.2—100微米。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造