[发明专利]发射抑制传感器无效
申请号: | 94193731.3 | 申请日: | 1994-08-18 |
公开(公告)号: | CN1133088A | 公开(公告)日: | 1996-10-09 |
发明(设计)人: | 詹姆斯·G·本特森 | 申请(专利权)人: | 明尼苏达州采矿制造公司 |
主分类号: | G01N21/64 | 分类号: | G01N21/64;A61B5/00 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 马浩 |
地址: | 美国明*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发射 抑制 传感器 | ||
1.一种用来检测在介质中的一种分析物浓度的方法,该方法包括以下步骤:
把一个敏感元件暴露于所述介质,所述敏感元件包括一种配置成暴露于一种抑制剂的发射指示剂,所述抑制剂包含所述分析物或一种按已知关系与所述分析物相关联的物质,而且其中所述发射指示剂具有一个针对所述抑制剂的双分子抑制率常数kq和一个或多个大于最低寿命τOL的荧光寿命τO;
把所述敏感元件暴露于一个角频率ω下的激励信号,借此使所述敏感元件发射一个与分析物浓度有关的信号或一些具有一个与分析物浓度有关的参数的信号,该参数作为分析浓度的函数而变化;
探测所述(诸)发射信号并提供(诸)探测信号;
单变地处理至少一个所述诸探测信号以得出该与浓度有关的参数,借此测定在所述介质中所述分析物的浓度,其中所述敏感元件和/或所述激励信号这样配置,以便提供一种工作条件,其中对于感兴趣的工作范围之内的所有分析物浓度来说以及对于大于τOL的所有寿命τo来说,量{[(kq[Q])2+ω2]τo2}均大于4倍的量{1+2kqτo[Q]},这里[Q]是所述敏感元件中所述抑制剂的浓度。
2.一种用来检测在介质中的一种分析物浓度的方法,该方法包括以下步骤:
把一个敏感元件暴露于所述介质,所述敏感元件包括一种母体材料和一种发射指示剂,其中所述母体材料对于包含所述分析物或一种按已知的关系与所述分析物相关联的物质的一种抑制剂来说是可渗透的,而且其中所述发射指示剂具有一个针对所述抑制剂的双分子抑制率常数kq和一个或多个大于最低寿命τOL的荧光寿命τo;
把所述敏感元件暴露于一个角频率ω下的第一激励信号,借此使所述敏感元件发射一个与分析物浓度有关的信号或一些具有一个与分析物浓度有关的参数的信号,该参数作为分析物浓度的函数而变化;
探测所述(诸)发射信号并提供(诸)探测信号;
单变地处理至少一个所述诸探测信号以得出该与浓度有关的参数,借此测定在所述介质中所述分析物的浓度,其中所述敏感元件和/或所述激励信号这样配置,以便提供一种工作条件,其中对于感兴趣的工作范围之内的所有分析物浓度来说以及对于大于τOL的所有寿命τo来说,量{[(kq[Q])2+ω2]τo2}均足够地大于量{1+2kqτo[Q]},以致该与浓度有关的参数和抑制剂浓度之间的关系的斜率与τo变化性无关,这里[Q]是所述母体中所述抑制剂的浓度。
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